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SVF12N65原厂授权代理规格书
SVF12N65T/F/FG/K/S 说明书
12A 、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF12N65T/F/FG/K/S N 沟道增强型高压功率MOS 场效应
晶体管采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换
器，高压H 桥PWM 马达驱动。
特点
∗ 12A ，650V，R =0.64Ω@V =10V
DS(on) （典型值） GS
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式
SVF12N65T TO-220-3L SVF12N65T 无铅 料管
SVF12N65F TO-220F-3L SVF12N65F 无铅 料管
SVF12N65FG TO-220F-3L SVF12N65FG 无卤 料管
SVF12N65K TO-262-3L SVF12N65K 无铅 料管
SVF12N65S TO-263-2L SVF12N65S 无铅 料管
SVF12N65STR TO-263-2L SVF12N65S 无铅 编带
版本号：1.7 2012.09.17
共9页 第1页
士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S 说明书
极限参数(除非特殊说明，T =25°C)
C
参数范围
参 数 名 称 符号 SVF12N SVF12N SVF12N SVF12N 单位
65T 65F(G) 65K 65S
漏源电压 VDS 650 V
栅源电压 VGS ±30 V
TC=25°C 12
漏极电流 ID A
T =100°C 9
C
漏极脉冲电流 IDM 48
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