士兰微SVF12N65规格书(必威体育精装版版).pdf

SVF12N65T/F/FG/K/S 说明书 12A 、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF12N65T/F/FG/K/S N 沟道增强型高压功率MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压H 桥PWM 马达驱动。 特点 ∗ 12A ，650V，R =0.64Ω@V =10V DS(on) （典型值） GS ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF12N65T TO-220-3L SVF12N65T 无铅 料管 SVF12N65F TO-220F-3L SVF12N65F 无铅 料管 SVF12N65FG TO-220F-3L SVF12N65FG 无卤 料管 SVF12N65K TO-262-3L SVF12N65K 无铅 料管 SVF12N65S TO-263-2L SVF12N65S 无铅 料管 SVF12N65STR TO-263-2L SVF12N65S 无铅 编带 版本号：1.7 2012.09.17 共9页 第1页 士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参 数 名 称 符号 SVF12N SVF12N SVF12N SVF12N 单位 65T 65F(G) 65K 65S 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 12 漏极电流 ID A T =100°C 9 C 漏极脉冲电流 IDM 48