GaN材料p型掺杂_谢世勇.pdf

第2 1卷　第2期 固体电子学研究与进展 V o l. 2 1,N o. 2 　　　　　 　　　　　　 200 1 年 5 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE M ay , 200 1 GaN 材料 p 型掺杂 谢世勇　郑有　　陈　鹏　张　荣 (南京大学物理系, 2 10093) 收稿,收改稿 摘要: 近几年来, GaN 材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN 基蓝光L ED 和LD 相继 研制成功并进入市场, 更加推动了GaN 材料的发展。目前 GaN 器件发展主要的障碍在于背景载流 ( ) 子 电子 浓度太高, 型掺杂水平低。背景载流子可能与 空位、替位式 、替位式 等有关。 型 p N Si O p ( ) 掺杂 主要是掺M g 方面, H 补偿受主M g, 使掺M g 的 GaN 成为半绝缘。经过低能电子束辐照 (L EEB I) 或快速热退火(R TA ) 处理后, 部分M g 可以被激活, 空穴浓度可达到 1018 cm - 3 , 但仍然不 ( ) 能很好满足器件需要, 这可能与M g 较高的电离能 约 250 m eV 有关。其它掺杂剂也在研究中。理 论上,B e 的受主电离能只有 60 m eV , 可能是比较好的掺杂剂。文中系统研讨了GaN 材料p 型掺杂 遇到的问题及其相关机制。 关键词: 背景载流子浓度; 形成能; 补偿; 激活; 低能电子束辐照; 快速热退火 ( ) 中图分类号: TN 304 23　　文献标识码:A 　　文章编号: 200 1 - p type D op in g of GaN X IE Sh iyon g　ZH EN G You dou 　CH EN P en g　ZHAN G R on g ( , , 2 10093, ) D ep a r tm en t of P hy s ics N anj ing U n iv ers ity CH N A bstract: