MW4953中文说明书.pdf

双P 沟道增强型MOS 管 MW4953 地址：深圳市高新技术产业园南区高新南一道国微大厦5 楼 st ADD: Shenzhen High-tech Industrial Park,South Area GaoxinS.Ave.1 ，Guowei Building. 电话Tel：0755 传真Fax：0755 邮编：518057 网址： 电子邮箱Email: sunmoon@ 双P 沟道增强型MOS 管 MW4953 一、概述： MW4953 是一种双 P 沟道增强型场效应管，做为负载开关被广泛应用于大屏显示，以及其它 的消费类电子产品中。采用 SOP8 的封装形式。 二、特性： ● Ids -3.0A, RDS(ON) 85mΩ@VGS -5V ● 高级的 Trench 加工技术 ● 高密度的单元设计 ● 封装形式：SOP8 三、管脚定义 四、电气参数 25℃极限参数和热特性 V1001A 第 1 页 共 4 页 双P 沟道增强型MOS 管 MW4953 参数 符号 范围 单位 漏源电压 VDS -30 V 栅源电压 VGS ±25 V 连续漏极电流 I -4.9 A D 脉冲漏极电流 IDM -30 A 2.5 ( TA = 25 ℃ ) W 最大耗散功率 P