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可变形电子元件的非线性动力屈曲行为分析.pdf

第 32 卷第4 期 爆炸与冲击 Vo l. 32 , No.4 2012 年 7 月 EXPLOSION AND SHOCK WAVES Ju l., 2012 文章编号: 1001-1455(2012)04-0362-06 可变形电子元件的非线性动力屈曲行为分析普 张晓睛,欧智成 (华南理工大学土木与交通学院,广东广州 510640) 摘要:基于薄膜/基底模型,分析可变形电子元件结构的动力屈曲问题。用小变形平面应变理论描述基 底,用 K盯hhoff 平板理论描述薄膜。定义 Lagrange 函数,包括薄膜应变能和动能,以及基底对薄膜所作的 功。利用 Euler-Lágrange 方程导出薄膜的动力屈曲控制方程。计算线性荷载下薄膜的动力响应,并利用B-R 准则确定临界屈曲荷载。动力屈曲的临界荷载较静力屈曲的大,波幅响应围绕静力屈曲的响应振荡。 关键词:固体力学;动力屈曲;B-R 准则;可变形电子元件;薄膜;基底 中图分类号: 0347.3 国标学科代码: 13015 文献标志码:A 可变形电子技术在微电子、生物、医学等领域有广阔的应用前景川,它以硬质薄膜、柔性基底结构为 基础,将薄膜粘附在己施加预应变的基底上,然后释放预应变,致使薄膜发生屈曲[2J 。将薄膜/基底结构 的屈曲特性应用于半导体纳米技术中,便可实现电子元件的可变形特性。R. Huang 等[3-6J 建立了薄膜 基底结构的力学模型,研究了各向同性、正交各向异性的弹性薄膜在弹性、粘性和枯弹性基底上的屈曲 行为,得到了薄膜屈曲的波长、波幅和临界荷载等。 B. Audolya 等[7J 、 X. Chen 等[8J 、 J.Song 等[9丁研究了 包括人字形、棋盘形、波浪形等多种受到双轴预应变荷载的薄膜屈曲构型。文献[10-12J 中研究了有限 窄带薄膜的屈曲,并考虑了大变形和超弹性的情况。 当前的研究主要集中在静力屈曲方面,并未考虑结构的动力响应,事实上元论是在生产还是使用过 程中,可变形电子元件都不可避免地会承受各种动力荷载的作用。这些荷载可能来自化学反应、机械碰 撞、环境温度等,并最终体现在薄膜/基底结构受到的随时间变化的荷载。一般而言,这些荷载包括线性 荷载、阶跃荷载、脉冲荷载、周期荷载和随动荷载等,原来的静力屈曲问题转化为与时间相关的动力屈曲 问题。动力屈曲同静力屈曲分析一样,需要确定临界荷载和屈曲模态等,但动力屈曲有更丰富的动力响 应,包括冲击屈曲、振荡屈曲等,而且对初始条件敏感[13 叫。 本文中,分析线性荷载下薄膜/基底结构的动力屈曲。假设薄膜受到线性递增的单轴预应变,利用 Kirchhoff 平板理论描述薄膜,用小变形平面应变理论描述基底,导出薄膜的应变能和功能,以及基底对 薄膜所作的功。然后定义 Lagrange 函数,利用 Euler-Lagrange 方程导出动力屈曲控制方程。通过量纲 一化后,得到一个关于屈曲波幅和线性荷载的非线性常微分方程。通过数值方法求解结构的动力响应, 并利用 B-R 准则确定临界屈曲荷载f15] ,最后讨论初始条件对动力响应的影响。可以发现,动力屈曲的 临界荷载较静力屈曲的大,波幅响应围绕静力屈曲的振荡。 1 基本模型和控制方程 弹性薄膜元滑移地粘附在弹性基底上,薄膜厚度为h , 基底厚度为 H,且 Hh。基底受到单轴预拉 伸应变 ε。,以此时的构型为初始构型,以接触面的中心为原点建立坐标系,如图 l(a) 所示。释放基底的 预应变,结构发生屈曲,如图lCb) 所示,假设在此过程中薄膜受到线性变化的压缩应变ε (t) 。用 Kirch 铃 收稿日期: 2011-06-11; 修回日期: 2011-12-10 基金项目:国家自然科学基金项目 ; 华南理工大学中央高校基本科研业务费专项基金项目(2012ZZ0102) 作者简介:张晓晴0974- ),女,博士,副教授。 第 4 期 张晓晴等:可变形电子元件的非线性动力屈曲行为分析

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