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脉冲激光沉积PZT/LSMO薄膜结构及输运特性的研究摘要锆钛酸铅（Pb(ZrxTi1-x)O3，简称PZT）材料因其具有优良的铁电、压电、热释电、电光和非线性光学等特性而备受关注。同时，PZT作为一类典型的铁电材料，其显著的反常光生伏打效应，为新型太阳能电池材料的研究创造条件。本文利用脉冲准分子激光在STO单晶基片上淀积了LSMO和PZT的.并通过高频溅射将Pt蒸镀在PZT薄膜上作为上电极;用X射线衍射表征了PZT铁电薄膜和该多层膜的晶相结构，测量了PZT的铁电性能和介电特性。讨论了PZT/薄膜的制备工艺。以及工艺条件对晶相结构和薄膜性能的影响。在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试，.关键词：PZT薄膜激光脉冲淀积电滞回线，漏电流Study on structure and Transport Characteristic of PZT/LSMO Thin Film By Pulsed-Laser DepositionAbstractLead (Pb (ZrxTi1-x) O3, called PZT) material because of its excellent ferroelectric, piezoelectric, , electro-optical and nonlinear optical properties of concern. Meanwhile, PZT as a kind of typical ferroelectric material, its significant anomalous photovoltaic effect, to create conditions for the study of new solar cell materialsIn this paper, the use of pulsed laser in the STO single crystal substrate deposited LSMO and PZT and by high-frequency sputtering Pt deposited on the PZT thin film as an upper electrode; Characterization of PZT thin films by X-ray diffraction and the crystalline structure of the multilayer film, measuring the ferroelectric properties and dielectric properties of PZT. Discuss the preparation of PZT / film. And process conditions on the crystalline structure and film properties. In a sealed liquid nitrogen for transport properties of the films were tested using the four-probe method.绪论.PZT具有一系列优异的性能，如压电、铁电、热释电、介电、光电等，利用这些性质可以成性能优良的器件。与其他铁电材料相比，PZT具有很多优点，例如：较高的居里点（200℃以上）且可以通过改变锆钛含量比实现对居里温度的控制；它的热释电系数较大，同时介电常数和介电损耗较小，而且可以通过对PZT掺杂入Mn、Bi等其他元素或单纯改变PZT的锆钛含量比的方式来改善其性能；在准同型相界附近具有优异的压电性能。因此PZT是一种优异的压电、铁电和热释电材料，已在众多领域被广泛的应用1.PTZ铁电薄膜随着铁电薄膜和微电子技术相结合而发展起来的集成铁电学的出现，铁电薄膜的制备、结构、性能及其应用已成为国际上新材料研究十分活跃领域，其中钙钛矿结构的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜由于具有优越铁电、介电、压电、热释电以及能够与半导体技术兼容等特点，使之在微机电系统(MEMS)等领域具有广泛的应用前景。由于基于PZT的器件具有工作带宽广、反应速度快和灵敏性高等优点，因此PZT薄膜可以用于MEMS领域的各个方面，例如压电激励器、焦热红外探测器、随机存储器和超声器件。为了满足不断提高的微纳米机械器件的要求和与硅基器件的兼容，在硅衬底上生长高质量的PZT薄膜就变得越来越重要.1.1 铁电薄膜材料的研究现状,7]。目前，铁电薄膜的研究主要集中在以下几个方面：新的合成技术与沉积技术，薄膜的检测与表征技术，结构与性能的关系以及工艺与微结构关系，界面特性（包括金属-铁电薄膜界面和铁电薄膜与半导体兼容），新薄膜