先进光刻胶材料的研究进展.pdf

第 卷 第 期 影像科学与光化学 ２９ ６ Ｖｏｌ．２９ Ｎｏ．６ 　 　 　 　 年 月 ， ２０１１ １１ Ｉｍａｉｎ ＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＰｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒ Ｎｏｖ． ２０１１ 　 　 ｇ ｇ 　 　 ｙ 　 　 檭 殐檭檭檭檭檭殐 檭 檭 综 述 　　 殐 檭 檭檭檭檭檭殐 先进光刻胶材料的研究进展 ， ， ， ， ， ， 许 箭 陈 力 田凯军 胡 睿 李沙瑜 王双青 杨国强 （ ， ， ） 北京分子科学国家实验室 中国科学院化学研究所光化学重点实验室 北京 １００１９０ ： ， 摘 要 本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程 并对应用于 １９３纳米光刻 　 ， 和下一代 ＥＵＶ光刻的光刻胶材料的研究进展进行了综述 特别对文献中ＥＵＶ ， 光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍 以期对我国先进光刻胶的研发工作 有所帮助． ： ； ； ； ； 关 键 词 光刻胶 １９３ｎｍ光刻 ＥＵＶ光刻 化学放大光刻胶 分子玻璃 文章编号： （ ） 中图分类号： ； 文献标识码： １６７４０４７５２０１１０６０４１７１３ Ｏ６４ ＴＮ３０５ Ａ － － － 　　 　　 、 、 、 、 ， 光刻胶是指通过紫外光 深紫外光 电子束 离子束 射线等光照或辐射 其溶解度 Ｘ ， ， 发生变化的耐蚀刻薄膜材料 是光刻工艺中的关键材料 主要应用于集成电路和半导体 ［ ］ 分立器件的细微图形加工 １ ． １ 光刻技术概况 　 ， ， ， 光刻技术是利用光照 在有光刻胶存在下 将掩膜上的图形转移到衬底上的过程 其 ［ ］