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第一章 1. PN型半导体 多数载流子是电子的半导体是N型半导体；多数载流子是空穴的半导体是P型半导体。 2. 浅杂质能级，深杂质能级 掺杂杂质能级距导带或价带比较近，这类能级为浅杂质能级；杂质能级距离导带和价带比较远，这类能级为深杂质能级。 3. 半导体中费米能级的位置 ⑴对于本证半导体而言，绝对温度下的费米能级位于禁带中央，随着温度的升高，费米能级逐渐增加。 ⑵对于掺杂半导体而言，① n型半导体的Ef位于禁带的上半部，掺杂浓度越高，Ef便越高，导带中的电子越多；并且随温度的升高，Ef逐渐趋向于禁带的中间，在高温时达到本证，即Ef=Ei。②P型半导体的Ef位于禁带的下半部，掺杂浓度越高，Ef便越低，价带中的空穴越多；并且随温度的升高，Ef逐渐从价带方向趋向于禁带的中间，在高温时达到本证，即Ef=Ei。 4. 激子的概念 如果光子的能量小于禁带宽度，价带上的电子吸收了光子能量以后不足以跃迁至导带，但是，这个离开价带上的带负电的电子可以同留在价带上的带正电的空穴形成一个较弱的束缚态，这个由电子-空穴对组成的束缚态称为激子。 5. 半导体的电阻率和温度的关系 本征半导体：由于没有电离杂质的散射作用，载流子浓度仅由本征激发所决定。温度升高时，本征激发急剧增加，载流子浓度也迅速增加。因此，本征半导体的电阻率随温度的升高而单调下降。 杂质半导体： AB段：杂质电离随温度升高而增加，散射较弱,，电阻率随温度升高而降低。 BC段：杂质电离完成，本征激发较少，载流子浓度不随温度变化，散射随温度增加而增加，电阻率随温度升高而增加。 C点后：本征激发强烈，载流子浓度随温度升高而增加，浓度成了控制电阻率的主要因素，随温度升高而降低。 6. 光吸收 本征吸收、激子吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、声子吸收 第二章 1. 光纤的性能参数及其作用 ①相对折射率差：表征光被约束在光纤中的难易程度。越大，越容易将传播光束约束在纤芯中。 ②受光角：把允许的最大入射角的2倍称为受光角。 ③数值孔径：相应于临界角的入射角反映了光纤集光能力的大小，通常被称为孔径角.数值孔径与孔径角的大小相关。NA表示光纤接收和传输光的能力，NA(或θc)越大，光纤接收光的能力越强，从光源到光纤的耦合效率越高。 NA越大， 纤芯对光能量的束缚越强，光纤抗弯曲性能越好；但NA越大，经光纤传输后产生的信号畸变越大，因而限制了信息传输容量。所以要根据实际使用场合，选择适当的NA。 ④折射率分布函数： ⑤归一化频率：与参数（△、n1、a有关） ⑥截止波长：当V2.405时，只有一种模式，即基模通过光纤芯传输，称单模光纤。当V2.405时，假如光源波长减小得足够小时，单模光纤将变成多模光纤，高阶模也将在光纤中传输。因此光纤变成单模的截止波长(c。 2. 光纤的损耗 1. 吸收损耗 (1) 本征吸收：本征吸收来自基质材料电子跃迁和分子振动产生的吸收。 (2) 杂质吸收是由于材料不纯造成的 2. 散射损耗： (1)光波导散射：原料中的杂质、光纤拉制过程中产生的气泡、粗细不均匀、纤芯与包层间界面不平滑等都会引起散射。 (2)瑞利散射是光纤材料在固化时局部密度起伏造成折射率不均匀而产生的。 0为正性(p型液晶)；0为负性(n型液晶) 取向的自由能 Fe=-1/2(0(((n?E)2 折射率：向列液晶和层列液晶，(ｎ0；胆甾液晶，(ｎ0。 弹性常数：在向列液晶情况下，分子沿着指向矢方向平衡，不产生形变恢复力。但破坏分子取向有序时，出现指向矢空间不均匀，使体系自由能增加，产生指向矢形变恢复能 阈值电压：加电压后液晶显示器件的透光率达到10%时的电压 5. 扭曲相变液晶的工作原理 原理：（扭曲向列型）液晶上、下两个玻璃基片内表面的摩擦方向相差90゜（正交），当自然光通过上偏振片后变成先行偏振光时，偏振光的振动方向与偏振片的偏振方向一致，同时也与玻璃基片内表面附近的液晶分子排列方向一致。当通过上偏振片的光进入液晶层后，由于液晶的双折射作用，使线性偏振光分解成o光和e光，其传播速度不同，但位相相同，因而在人一瞬间o光和e光合成的结果使偏振光的振动方向发生变化，光依次通过液晶层后，通过液晶层的光被逐渐扭曲了。由于扭曲向列型液晶显示器件边界条件的限制，当光线达到下偏振片而成为亮场。当加上电场后，节点各向异性为正的液晶分子在电场作用下取向（液晶分子长轴与电场方向一致），扭曲结构消失，通过上偏振片的线偏振光进入液晶层后不再旋转，因而不能通过下偏振片，形成暗场。 6. 发光二极管（LED） LED是辐射光的半导体二极管。施加正向电压时，通过P-N结分别把n区的电子注入到p区、p区空穴注入到n区，电子和空穴复合发光，把电能直接转换成光能。 7. 激活剂，敏化剂 猝灭剂：损害发光性能使发光亮度降低的杂质，又称