第3章 场效应管及其放大电路.pptVIP

《模拟电子技术》 主讲：王彦 武汉铁路职业技术学院 二00七年四月 第3章 场效应管放大电路 本章主要内容： 3.1 绝缘栅场效应管 3.2 结型场效应管 3.3 场效应管的比较 3.4 场效应管的主要参数及使用注意事项 3.5 场效应管放大电路 3.6 本章小结 3.1 绝缘栅场效应管 3.1 绝缘栅场效应管 3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.2 N沟道耗尽型MOS管 3.1.1 N沟道增强型MOS管 一、结构及符号 3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.1 N沟道增强型MOS管 3.1.2 N沟道耗尽型MOS管 3.1.2 N沟道耗尽型MOS管 3.2 结型场效应管 (JFET) 3.2.1 JFET结构和符号 3.2.2 JFET的工作原理 3.2.3 JFET伏安特性曲线 3.2.1 JFET的结构与符号 3.2.1 JFET的结构与符号 3.2.2 JFET的工作原理 3.2.2 JFET的工作原理 3.2.2 JFET的工作原理 3.2.2 JFET的工作原理 3.2.2 JFET的工作原理 3.2.3 JFET的伏安特性曲线 一、转移特性曲线 3.2.3 JFET的伏安特性曲线 二、输出特性曲线 3.2.3 JFET的伏安特性曲线 3.2.3 JFET的伏安特性曲线 3.3 场效应管的比较 3.3.1 场效应管与三极管的比较 3.3.1 场效应管和三极管比较 （1）场效应管是一种压控器件，由栅源电压UGS来控制漏极电流ID；而晶体三极管是电流控制器件，通过基极电流IB控制集电极电流IC。 （2）场效应管参与导电的载流子只有多子，称为单极性器件；而晶体三极管除了多子参与导电外，少子也参与导电，称为双极性器件。 　　　因此，场效应管受温度、辐射等激发因素的影响小，噪声系数低；而晶体三极管容易受温度、辐射等外界因素影响，噪声系数也大。 3.3.1 场效应管和三极管比较 （3）场效应管直流输入电阻和交流输入电阻都非常高，可达数百兆欧以上；三极管的发射结始终处于正向偏置，总是存在输入电流，因此基极b与发射极e间的输入电阻较小，一般只有几百欧至几十千欧。 （4）场效应管的跨导较小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍数比晶体三极管低。 3.3.1 场效应管和三极管比较 （4）场效应管的结构对称，漏极和源极可以互换使用，而各项指标基本上不受影响。如果制造时场效应管的衬底与源极相连，其漏极与源极是不可以互换使用的。但晶体三极管的集电极与发射极是不能互换使用的。 （5）场效应管的制造工艺简单，有利于大规模集成。特别是MOS电路，每个MOS场效应管的硅片上所占的面积只有晶体三极管的5%，因此集成度更高。此外，场效应管还有制造成本低、功耗小等优点。 3.4 场效应管主要参数及使用注意事项 3.4.1 场效应管的主要参数 3.4.2 场效应管的检测及注意事项 3.4.1 场效应管的主要参数 1．夹断电压UP 2．开启电压UT 3．漏极饱和电流IDSS 4．击穿电压U（BR）DS 5．直流输出电阻RGS 3.4.1 场效应管的主要参数 3.4.1 场效应管的主要参数 3.4.2 场效应管的检测及  使用注意事项 3.4.2 场效应管的检测及 使用注意事项 二、使用注意事项 （1）在MOS管中，有的产品将衬底引出，这种管子有4个管脚，应注意衬底的使用。 （2）注意MOS管的漏极和源极是否可互换使用。 （3）存放时应将各电极引线短接。 3.4.2 场效应管的检测及 使用注意事项 （4）焊接时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场，防止损坏管子。 （5）结型场效应管栅极与源极之间的PN结不能加正向电压，否则烧坏管子。 （6）在使用场效应管时，要注意漏-源电压、漏极电流及耗散功率等，不要超过规定的最大允许值。 3.5 场效应管放大电路 3.5.1 场效应管的直流偏置电路及 静态工作点 3.5.2 场效应管微变等效电路分析 3.5.1 场效应管的直流偏置电 路及静态工作点 3.5.1 场效应管的直流偏置电 路及静态工作点 3.5.1 场效应管的直流偏置电 路及静态工作点 3.5.1 场效应管的直流偏置电 路及静态工作点 3.5.1 场效应管的直流偏置电 路及静态工作点 3.5.1