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半导体常用词汇汇总 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2 r9 j6 V: e( \( f2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 ! K ~5 G2 m2 L L; K( `3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 + _3 p# p$ _0 ^9 k2 o4. Acid：酸 # Z% W6 j4 F4 _! G5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） ??_, q$ |# s9 V: X0 ]; b1 I+ |# H6. Align mark(key)：对位标记 / G??Y) ^6 ^/ _; |??M5 H6 J1 P, k7. Alloy：合金 2 R: D# q h; R: e3 |% v8. Aluminum：铝 3 L2 `$ g) _7 z l9. Ammonia：氨水 3 C+ P Q! M??o3 D6 W) d V10. Ammonium fluoride：NH4F % { r, Y* }: a5 P9 n11. Ammonium hydroxide：NH4OH / k5 s+ {/ a* u0 m3 C W3 S! h ?12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） ( J2 I$ c- F1 @2 ]; b: n U??b4 y13. Analog：模拟的 ) b9 M, z7 @( j, r6 p* Y, v14. Angstrom：A（1E-10m）埃 ! W6 z, \1 R2 M15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） ??e5 I??Q: l! B16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） - X) ?* e2 q3 |7 o- a( g+ D9 U x17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 3 {, F! \ N7 ^4 _18. Antimony(Sb)锑 % B8 P) S7 c! ^- B19. Argon(Ar)氩 2 s8 R% l0 O$ p1 D* Y20. Arsenic(As)砷 4 f+ c0 g! J5 ^5 l* f7 w( A ]21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 d$ @7 V2 \ C2 O- s2 s E$ E% C( V22. Arsine(AsH3) - L1 W u) `# [3 q$ u* N23. Asher：去胶机 3 v2 I: ~4 w: f6 \. t24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） * T7 ~; H) g1 m- ^25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 2 u b y6 J( a5 p* K/ h, ~: [* B+ E26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） # z6 E6 @: a B1 P; L2 r1 L d27. Baseline：标准流程 ( N) ^ B8 @! N2 O% m* `# _7 t28. Benchmark：基准 , q; r; T??P2 t8 d0 I) b29. Bipolar：双极 ) O: N2 G6 r/ Q# o, q8 t C30. Boat：扩散用（石英）舟 1 b. s! ` l h B31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 ) A) \1 Q, o% }/ ? \32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 $ x8 w1 P5 q9 _0 ]2 K8 e$ J7 k6 n33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。  x0 [9 V3 N+ L# S8 r G34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 ( b, `3 E2 L1 u1 V35. Chip：碎片或芯片。 * ]5 g+ U/ f! C# P; J36. CIM：compute