氢氟酸中痕量杂质的 分析测定).pdf

第 卷 第 期 稀 有 金 属 B @ 年 月 ((, ’ TL0 B U @ *!2VV W?XQ24Y ?7 Q4QV %VZ4Y [8P ((, ################################################################### 氢氟酸中痕量杂质的!#$% 分析测定! 叶松芳 （北京有色金属研究总院 有研半导体材料股份有限公司，北京 ’((()) ） 1 ’ 摘要：研究了用 型 方法分析半导体用浓氢氟酸中的痕量杂质。在半导体业，所用试剂要求在 · 级。采用样品直接稀 *# +,(( !#$% ’( -. /0 释法，在优化的实验条件下，采用 型 实现了样品中 ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， 种杂质元素的同时测定，降低 *# +,(( !#$% 23 %. 40 5 3 6 78 29 : #; ’( 了样品玷污的可能性。屏蔽炬系统和冷等离子体的使用，很大程度上提高了检出限，使 ， 和 获得令人满意的测量结果。所有元素的测 5 3 78 定均在相同条件下进行，检出限为 1 ’ · 。 ( ) = ( -. /0 关键词：氢氟酸； ；标准加入法；金属杂质 !#$% 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ?@,A ) 4 (,) 1 A(A@ ((, (@ 1 (B+) 1 (C 半导体工业中，试剂的金属玷污严重影响了 公司；超纯去离子水： 纯水器（ 4.908-I %9009$J %9009$ 半导体器件的产品收率。而且，随着器件的亚微级 ， ， ）制备的超纯水，其电 KL68 L6K M8NOL6N 4/869P3 化，对半导体用酸试剂的纯度提出了越来越高的 导率为 · ； ， ， ， ， ， ， ， ’) /! P/ 23 %. 40 5 3 6 78 要求。 ， ， 混合金属储备液 （质量浓度为 2