第4章(存储器)_2069_2500_20110414090823.ppt

第4章 内部存储器——目录 4.1 存储系统概述 4.2 内部存储器的作用及其分类 内存的分类、作用、和主要技术指标 4.3 半导体存储器的组成及工作原理 SRAM、DRAM、和各种ROM的原理和组成 4.4 RAM的基本工作方式 4.5 内存模组与基本结构 逻辑Bank与芯片容量表示方法 内存条（模组）的结构及工作原理 4.6 主流内存条介绍 FPM DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR、DDR2、DDR3 几种常见内存接口类型及性能比较 4.7 内存相关技术 双通道内存技术 参数及优化 技术规范及标注格式 4.1 存储系统概述——存储体系 存储系统——是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作需要的信息（程序和数据）的部件，构成计算机的信息记忆功能。 4.2 内部存储器的作用及分类——作用 4.2 内部存储器的作用及分类——分类 4.2 内部存储器的作用及分类——内存的主要技术指标 存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。以字节(B:Byte)为单位。 1KB = 210 = 1024B  1MB = 220 = 1024KB = 1,048,576B 1GB = 230 = 1024MB = 1,048,576KB = 1,073,741,824B 速度：读取时间=从发出读出命令到信息稳定在存储器输出端的时间，一般单位为ns(纳秒，10-9秒)。DRAM芯片一般为几十ns，SRAM芯片为几ns。其他速度包括写入速度（一般与读取速度差别不大）、擦除速度等。 突发访问支持：向存储器发出一次地址，可以连续读/写多个字节。目前由DRAM芯片构成的内存条（模块）突发传送模式下读写速度可以达到几个ns。 4.2 内部存储器的作用及分类——内存的主要技术指标 带宽：(存储器位数/8)×读取速度峰值，单位为MB/s。 错误校验：内存在读写过程中检测和纠正错误的能力，常用的错误校验方式有Parity、ECC。 奇偶校验(Parity)：一般每个字节增加一位，用于奇校验或偶校验。只有检错能力。 ECC(Error Checking and Correcting)：一般每64位增加8位。具有数据检错和纠错能力，ECC可以纠正存储器访问的绝大多数错误。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM工作原理——触发器SRAM基本存储电路单元：双稳态触发器（如D触发器）——1位存储器。8个双稳态触发器集成为一个字节的存储单元（寄存器）。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM工作原理——1位存储单元触发器构成的1位读写存储单元。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM工作原理——8位存储单元（寄存器）8个1位存储单元构成一个字节的存储单元（寄存器），多个存储字节单元集成为存储器芯片。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM芯片：内部由存储矩阵、地址译码器、存储控制逻辑和双向缓冲器组成。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM DRAM的位存储电路：为MOS管+电容器动态存储电路，其记忆信息的机理是依靠电容器C存储电荷的状态，电容器C有电荷时，为逻辑“1”，没有电荷时，为逻辑“0”。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM 只读存储器ROM：信息只能读取，也不会在掉电时丢失。 ROM器件的特点： 只读，写入需要特殊操作； 结构简单，所以位密度高； 非易失，可靠性高； 读取速度慢。 ROM的技术发展过程： 掩膜ROM → PROM → EPROM → EEPROM → Flash Memory 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM 1. 掩膜ROM——由芯片制造厂利用掩膜技术写入程序的，掩膜ROM制成后，不能修改。 2. PROM——一次可编程ROM。只能有一次写入的机会，存储器使用熔断丝，熔断丝原始状态导通(1)，将熔断丝烧断编程为0。 3. EPROM——紫外线可擦除可编程ROM。通过紫外线照射可以将信息全部擦除(全部为1)。EPROM可重复编程。 4. EEPROM——电可擦除可编程ROM。可通过电信号全部或部分擦除，能完成在线编程。通过程序方式可实现读写。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM Flash Memory——闪烁存储器属于EEPROM的改进产品。新一带的非易失存储器。特点： 采用单管结构（EEPROM为双管结构），集成度高； 内部为分块/分页结构（一般1页512B~几KB，1块由多个页组成），页是写入单位（整页写入）。块是