烧结炉介绍及原理.doc

? ■ ?真空-热压烧结炉的介绍：? ?包括烧结炉和抽真空部分，烧结炉包括炉体和装设在炉体内的加热室，烧结炉上安装有六个引电电极，其特征是在炉体的上、下方分别设置有油压机上梁和油压机下梁，油压机上梁和油压机下梁由四个支柱连接成一整体；上压头由上水冷压头和上石墨压头连接构成，下压头由下水冷压头和下石墨压头连接构成，上压头和下压头分别从炉体和加热室的上、下端面上的压头通孔、插入炉体内，其上石墨压头和下石墨压头分别插入加热室内，上压头和下压头可上、下移动。 ? ? ? ?■ ?烧结的介绍：? 1、烧结 粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。 2、填料 在预烧或烧结过程中为了起分隔和保护作用而将压坯埋入其中的一种材料。 3、预烧 在低于最终烧结温度的温度下对压坯的加热处理。 4、加压烧结 在烧结同时施加单轴向压力的烧结工艺。 5、松装烧结 粉末未经压制直接进行的烧结。 6、液相烧结 至少具有两种组分的粉末或压坯在形成一种液相的状态下烧结。 7、过烧 烧结温度过高和（或）烧结时间过长致使产品最终性能恶化的烧结。 8、欠烧 烧结温度过低和（或）烧结时间过短致使产品未达到所需性能的烧结。 ? ? ? ?■ 卧式真空烧结炉? 卧式真空烧结炉 1、工作温度400°C－1200°C 2、恒温区400mm/±1°C 3、单点精度≤±1°C/24H 4、冷态真空度6.7×10-5Pa ? ? ? ?■ 隧道式网带烧结炉? 用途：厚膜电路、厚膜电阻等厚膜产品烧结；电子元件端头烧银，气氛保护下的烧结、钎焊等，也可用于电子陶瓷产品的预烧、低温烧结或热处理、排胶、退火特点：独特炉腔设计、均匀；远红外加热、高效；超轻质保温、节能；包括快烧炉和马弗式炉，系列齐全，选件丰富典型产品：（1）厚膜烧结炉系列：用于厚膜产品烧结，额定温度1050 （2）保护气氛烧结炉：应用于氮气、氢气、氨分解气氛等保护气氛条件。 ? ? ? ?■ 金刚石锯片烧结炉? 用途：金刚石锯片烧结用 温度：950 特点：电炉加热温度采用上、中、下三区各自独立控制，控温方式采用可控硅PIC自整定方式，仪表为双显智能表，使各区设定温度均匀性能得到绝对保证，温差在±1之内；每台电炉配套供应两套炉胆总成，可两套炉胆总成轮换加热工作，适应大批量工作要求；炉胆总成采用1Cr18Ni9Ti合金钢制作，使用寿命长；加热元件采用Cr20Ni80合金丝制作，使用寿命长；电炉采用氢气保护，使产品均能保持色泽光亮，表面无氧化。 ? ?■ ZKL型(1300)1600℃真空氮气烧结炉(钢包炉)? 真空氮气炉又称钢包炉，它模拟氮气推板窑烧成原理而特殊制造，相对氮窑它具有成本低、烧结灵活等特点，并可采用一拖二结构形式，是目前磁性材料、纳米材料、特种金属件、锂电池材料等新材料的主要烧结设备。适用范围：高导磁芯、粉末冶金制品、结构陶瓷、纳米粉体材料等。产品介绍：ZKL系列真空炉，广泛应用于烧结高导铁氧体材料，烧结过程模拟氮气推板窑炉原理，产品性能好，10K料粉烧结成产品μ值可达12K—15K。该设备主要由炉体、真空压力包、真空泵、小车等部分组成，炉体以硅棒或硅钼棒作为加热元件，其工作过程为：升温→抽真空→冲氮气→保温→冷却→出产品。 ? 技术参数：? 类别 型号 15kg 30kg 50kg 75kg 100kg 最高烧结温度 1360 1360℃ 1360℃ 1360℃ 1360℃ 加热元件 ф12×650 等直径碳棒 等直径碳棒 等直径碳棒 等直径碳棒 碳棒规格 ф12×650 ф20×750 ф20×750 ф20×750 ф20×750 额定功率 12kw 30kw 60kw 80kw 100kw 真空度 66.6Pa 66.6Pa 66.6Pa 66.6Pa 66.6Pa N2纯度% 99.999 99.999 99.999 99.999 99.999 充N2压力 0.05MPa 0.05MPa 0.05MPa 0.05MPa 0.05MPa 炉堂规格 200×200×500 300×300×630 300×300×1260 300×300×1470 300×300×1680 控温组数 1组 2组 3组 3组 3组 炉膛截面温差 ±10 ±10℃ ±10℃ ±10℃ ±10℃ 温控方式 可控硅模块自控 可控硅模块自控 可控硅模块自控 可控硅模块自控 可控硅模块自控 产量 15kg/次 30kg/次 50kg/次 75kg/次 100kg/次 ? ?■ 中频感应烧结炉? 应用于硬质合金材料、铜钨合金、钨、钼等真空/气氛烧结。钽铌氢化，炭炭复合材料的、炭材料的石墨化。 特点：1200-2800（根据材料工艺而定）以内超高温炉体，可完全满足各种材料的