51单片机第5章并行口12.ppt

表4—1 80C51并行I/O接口的比较 P1口的特点 ① 输出锁存,输出时没有条件; ② 输入缓冲,输入时有条件,即需要先将该口设为输入状态,先输出1; ③ 工作过程中无高阻悬浮状态,也就是该口不是输入态就是输出态。 具有这种特性的口不属于“真正”的双向口，而被称为“准”双向口。 * 4个TTL负载 4个TTL负载 4个TTL负载 8个TTL负载 驱动能力 B0H~B7H A0H~A7H 90H~97H 80H~87H 地址范围 B0H A0H 90H 80H SFR字节地址 I/O口 替代功能 I/O口 替代功能 I/O口 替代功能 I/O口 替代功能 功能 准双向口 准双向口 准双向口 真正双向口 性质 8 8 8 8 位数 P3口 P2口 P1口 P0口 I/O口 并行I/O接口 80C51共有4个并行的双向口, 计有32根I/O口线，各口的每一位都由锁存器、输出驱动器和输入缓冲器所组成。但它们在结构上有一些差异，因此各口的性质和功能也有一些差异。详见P77表4－1： 串行口：RXD TXD 中断： INT0 INT1 CTC0、1： T0、 T1 片外数据存储器： WR RD 程序存储器、 片外数据存储器 高8位地址 CTC2 T2、 T2EX (CTC2仅80C52中有) 串行口 程序存储器、片外数据存储器 低8位地址及8位数据 替代功能 P3口 P2口 P1口 P0口 I/O口 单片机的引脚（P1口） P1口：输出锁存器、输入缓冲器BUF1(读引脚）和BUF2(读锁存器）以及由场效应晶体管(FET) Q0与上拉电阻组成的输出 / 输入驱动器。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 读锁存器 写锁存器 内部总线 Vcc 引脚P1.X 内部上拉电阻 P1口某位结构 A Q0 2 1 D Q CK /Q 读引脚 读锁存器 写锁存器 内部总线 Vcc 引脚P1.X 内部上拉电阻 输出数据 = 1 时 1 1 0 截止 =1 单片机的引脚（P1口） 作输出口用：CPU输出1时，D＝1，Q=1, /Q=0，晶体管 Q0截止， A点被上拉为高电平，即输出1 。 A Q0 2 1 D Q CK /Q 读引脚 读锁存器 写锁存器 内部总线 Vcc 引脚P1.X 内部上拉电阻 输出数据 = 0 时 0 0 1 =0 导通 单片机的引脚（P1口） 作输出口用：CPU输出 0 时，D＝0，Q=0, /Q=1, 晶体管 Q0导通，A点被下拉为低电平，即输出0； A Q0 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =1 读锁存器 写锁存器 内部总线 Vcc 引脚P1.X 内部上拉电阻 输入数据时，要先对其写“1” 1 1 0 截止 单片机的引脚（P1口） P1口为 准双向I/O口（内置了上拉电阻） ，仅在作输入口用时：要先对其(锁存器）写“1”。 A Q0 需要注意是：若在输入操作之前，不将A点设置为高电平(即置1) ，如A点为低电平，则外设输入的任何信号均被A点拉为低电平。此时如外设为高电平，因被Q0强拉为低电平，将可能因大电流使晶体管烧坏。 P1口能驱动4个TTL负载。 （1）字节操作和位操作： 前面已述， P1口不仅可以作为一个8位字节来操作，也可以按位来操作。如： MOV P1, A , MOV P1, ＃data 等，为字节操作。 MOV P1. i , C , SETB P1. i 等，为位操作。 （2）读引脚操作和读锁存器操作 ①读引脚信号时要先置1，后输入； MOV A, P1 (P1为源操作数） ②读锁存器时，锁存器的值是经缓冲器BUF2读入内部总 线，修改后再写回锁存器。如前所述，它可避免误解。 MOV P1, A ;ANL P1, #10H CLR P1.1 (P1为目的操作数） P1口的操作 单片机的引脚（P3口） P3口的口线逻辑电路如图4－2所示(P81) P3.0—P3.7: 双功能口（内置了上拉电阻） 它具有特定的第二功能。在不使用它的第二功能时它就是普通的通用准双向I/O口。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 读锁存器 写锁存器 内部总线 第二功能输