第2章MCS-51单片机芯片的硬件结构.ppt

对51子系列，共256字节内部数据存储器，其中低128字节可以让用户使用，高128单元被专用寄存器（SFR）占用，不能让用户使用，所以常说的内部RAM区指的是低128单元； 对52子系列，共有384字节内部数据存储器，低128字节RAM，高128字节RAM和128字节的专用寄存器区，常说的内部RAM为256字节。 对内部数据存储器的访问使用MOV指令。 1.1.2 位寻址区(位寻址区共16个字节,128位，同时还包括部分专用寄存器区中可位寻址的专用寄存器) 1.2 内部数据存储器高128单元(80H-0FFH) 特殊功能寄存器SFR 1）占用字节地址： 80H～FFH 2）可位寻址寄存器： 其字节地址可被8整除 3）专用寄存器： A、B、PSW、DPTR、SP I/O接口寄存器： P0、P1、P2、P3、 SBUF、TMOD、 TCON、SCON … 2）寄存器B (8位) 与A累加器配合执行乘、除运算。也可用作通用寄存器。乘法时：B为乘数并存放乘积的高八位；除法时：B为除数并存放余数。 MUL AB DIV AB 二、 程序存储器 三、MCS-51存储结构特点 补充 普林斯顿结构：程序和数据共用一个存储 器逻辑空间，统一编址。 哈佛结构： 程序\数据分为两个独立存 储器逻辑空间，分开编址。 I/O口电路小结  1. P0口： 通用双向并行I/O口或低8位地址/数据传送分时复用。 2.P1口： 最简单的I/O通用双向并行接口。 第六节 单片机的低功耗操作方式 1、为什么需要低功耗操作： 节能、特别是在便携式电池供电方式下。 2、怎样进行低功耗操作： 对PCON的相应位进行置高或置低。如 SETB IDL 等同于 SETB PCON.0 3、低功耗工作模式及耗电量： 1)待机方式：从正常工作24mA降为3.7mA。 2) 掉电方式：从待机3.7mA降为50uA。 51子系列 总 结 内部ROM 外部ROM /EA=1 /EA=0 外部ROM 外部ROM 51子系列 总 结 第三节 并行输入/输出端口结构（I/O口） 四个双向8位I/O口，共32根I/O口线，每个I/O线均由锁存器，输出电路和输入缓冲器组成。 P0、P1、P2、P3，属于专用寄存器 每个I/O既可作输入又可作输出，每一条口线可独立用作输入又可用作输出，作输出时可锁存数据，作输入时可缓冲数据。 可以按字节寻址，也可以按位寻址。 1.1 P0口作为一般I/O口输出(要外加上拉电阻) P 0 .n 锁存器 P 0 .n Q Q D 读锁存器 写锁存器 内部总线 读引脚 T 2 MUX 地址/数据 控制 T 1 VCC 0 VCC 100－200Ω P0口的位结构 一、 P0口结构 P0口的位结构 1.2 P0口作为输入（先把p0口置1，使T1,T2截止） P 0 .n T 2 地址/数据 控制 T 1 VCC P 0 .n 锁存器 Q Q D 读锁存器 写锁存器 内部总线 读引脚 MUX 1 0 0 0 ORL P0 , #FFH MOV A, P0 P0口的位结构 1.3 P0口作为A/D总线输出(接外部扩展存储器) P 0 .n T 2 地址/数据 控制 T 1 VCC 1 P 0 .n 锁存器 Q Q D 读锁存器 写锁存器 内部总线 读引脚 MUX 1、注意读引脚和读锁存器的区别。 2、输出时接上拉电阻。 3、P0口作输入时，应使输出两个驱动场效应管截止而呈现悬浮的高阻态，所以需先向锁存器写“1”,才能正确输入数据，称为准双向口。 4、作A/D总线时，分时输出A0~A7 和D0~D7, MUX当程序中出现MOVX语句时自动切向上方，扩展使用作为D0~D7 / A0~A7 ；不出现MOVX语句则作为普通IO口。 P0口总结 二、 P1口结构 P1.n 锁存器 P1.n Q Q D 读锁存器 写锁存器 内部总线 读引脚 内部上拉电阻 T VCC 1、注意读引脚和读锁存器的区别。 2、普通IO输入时，必须把P1相应位置1，使FET关断，使引脚悬浮成为高阻，才能正确输入