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- | 1995-04-18 颁布
- | 1995-12-01 实施
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中华人民共和 国国家标准
ca/T 6619一1995
硅 片 弯 曲度 测 试 方 法
代替GB6619--a6
Testmethodsforbow ofsiliconslices
第一篇 方法A一一接触式测试方法
1 主题内容与适用范围
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法
本标准适用于测量直径大于50mm,厚度为200^-1000f.m的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用丁
测量其他半导体圆片弯曲度。
2 方法原理
将硅片置于基准环的3个支点上,3支点形成一个基准平面,用低压力位移指示器测量硅片中心偏
离基准平面的距离,该距离表示硅片的弯曲度。
3 测量仪器
I1 基准环
基准环是由基座、3个支撑球、3个定位柱组成的专用器具,如图所示。
国家技术监督局1995一04一18批准 1995一12-01实施
ca/T 6619一 1995
探头停放泣盈
接地线插孔
f.1片定位线
3个直径为7.工,mm的硬
丈质合金球Lk2001477,
,、其中心距离的直位为 丁
3个尼龙减震器以
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