MSPE-全闪存产品介绍V1.5剖析.pptx

全闪存阵列的设计与实测 专业存储领域领导品牌 目录 什么是闪存？ =》 闪存的出现：去除在线存储系统内唯一的机械部件 磁存储方式、机械臂 电存储方式、芯片 闪存的显著优点 – 性能高 固态硬盘 Intel DC S3610 400GB SAS15K 希捷 ST300MP0005 SAS10K 希捷 ST1200MM0088 SAS7.2K 希捷 ST4000NM0033 4K随机IOPS 8.4w(读) 2.5w(写) ~180 ~155 ~76 顺序读MB/s 550(读) 400(写) 160~233 108~215 175 平均延迟 55μs(R) 66μs(W) 2ms+3.5ms 2.9ms+3.5ms 4.16ms+9ms 固态硬盘的随机读写性能是传统磁盘的数百倍，延迟只有传统磁盘的一百至数百分之一！ 闪存性能举例 45万IOPS 1536块传统硬盘 过去需要1536块硬盘完成的任务，在今天的全闪存上只需要20块硬盘！ 闪存的显著缺点 – 擦写寿命与写放大 擦写寿命： SLC：典型擦写寿命10万次 MLC：典型擦写寿命1万次 eMLC：典型擦写1.5~3万次 注：当然根据制程不同，又略有区别 写入放大： SSD是以1 page（如4K）写入，而擦除则是以block（128*4K）为最小单位。 当发生数据更改时，需要先擦除，而擦除block就需要将其中有效的page移动并写入到其他位置，于是就发生了写放大问题。 闪存的典型寿命举例 SATA接口的耐磨度和最大容量： Intel 3710：10DWPD，Max 1.2TB Intel 3610：3DWPD，Max 1.6TB Intel 3510：0.3DWPD，Max 1.6TB 三星SM863： 3.6DWPD，Max 1.92TB 三星PM863： 0.8DWPD，Max 3.84TB 高可靠领域：10*1.2=12TB/天 传统阵列中的二级读缓存 典型的全闪存阵列配盘 DWPD(Disk Write Per Day) (全盘磁盘写/每天) 基于闪存的三种阵列 传统阵列：常见形态 传统阵列+少量SSD盘，SSD盘用作二级缓存，提升性能。二级缓存以读居多。 混合阵列：常见形态 闪存+机械硬盘混合的阵列，闪存、机械硬盘都用于存放数据。数据可在闪存及机械硬盘之间进行迁移。 全闪存阵列：未来的方向 只采用闪存用作存储介质的阵列。 闪存的性能完全不同，全闪存阵列需要完全不同的硬件架构！ 闪存的特性完全不同，全闪存阵列需要完全不同的软件处理方式！ 关于全闪存阵列的不同设计思路（EMC） 关键字：横向扩展节点（不是最强的） 0.5ms的延迟（不是最强的） 采用XDP与重删，提高利用率 采用eMLC降低成本 注重性能与功能的平衡 基本单元 1个UPS 2个控制器 1个磁盘框 关于全闪存阵列的不同设计思路（IBM） 关键字：特殊设计的硬件， 追求极致性能，如4模块200万4K随机IOPS 低于200μs的延迟 基本没有高级特性 借助SVC等实现高级特性 全闪存阵列的不同设计思路（华为） 关键字：采用传统双控存储硬件 不横向扩展、只纵向扩展 宣传最大IOPS 60万，延迟0.5毫秒 功能特性丰富 宏杉全闪存阵列的设计思路 闪存的性能完全不同，因此， 全闪存阵列 需要完全不同的硬件架构！ 闪存特性完全不同，因此， 全闪存阵列 需要完全不同的软件处理方式！ 硬件架构优化 横向扩展设计 引擎处理能力设计 硬盘通道设计 软件架构优化 全局磨损平衡 写入优化 性能与功能的平衡 MS7000AF横向扩展硬件架构 控制矩阵（8引擎扩展） 横向扩展：通过控制矩阵，可横向扩展至8个控制引擎（PCIE3.0或40Gb/100Gb低延迟以太网）； 纵向扩展：多个独立的384Gb通道扩展6个硬盘框（SAS3.0）； 主打高性能 单引擎处理能力 80CPU线程的处理能力 1.5TB高速缓存 384Gb交换带宽/25盘 30WIOPS/25盘 硬盘通道设计 全新设计的硬盘通道，确保吞吐性能，是传统存储的4倍以上 传统SAS架构： 采用24Gb SAS2.0或4Gb FC连续； 每个硬盘柜2条链路上行，2条链路向后端纵向扩展； 宏杉SSD架构： 采用48Gb SAS3.0连接； 每个硬盘柜8条链路上行，不纵向扩展； 每个硬盘柜25盘，每6个SSD独享2条48Gb SAS3.0通道 纵向继续扩展 传统SAS架构 24Gb SAS2.0/4Gb FC 48Gb SAS3.0 X2 不纵向扩展 SSD架构 X8 瓶颈 瓶颈 全局磨损平衡 基于Cell的RAID3.0 AF技术 全局磨损平衡： CRAID3.0将硬盘分块并打散到所有硬盘，实现全局硬盘磨损平衡； 写入优化 重写软件代码，减少数据回读，满条