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* Chint Solar Confidential * RENA 设备介绍 生产设备 2011年10月 设备外观 设备简介 设备名称：InTex 全称：Inline Texture Etching Machine 中文含义：在线纹理刻蚀机（在线制绒机一次清洗机） InTex的主要功能： 去损伤 制绒，腐蚀深度为4.5~5.5μm的光陷阱纹理表面，以减少光的反射 去金属离子和氧化物 制作疏水表面 陷光原理图 设备简介 设备名称：InOxside 全称：Inline Edge Isolation and Oxide Etch Machine 中文含义：在线边缘隔离和氧化物刻蚀机（在线湿法刻蚀机二次清洗机） InOxside的主要功能： 去磷硅玻璃 边缘刻蚀 去金属离子 InTex各槽体的功能 Acidic saw damage etching and texturing  Drying Acidic  cleaning Rinsing Rinsing KOH cleaning Rinsing 去损伤、制绒面 去除残余的酸、辅助制绒 1、去除残余的碱；2、去除金属离子；3、使硅片具有疏水性 去除残余的化学品、清洁硅片 干燥硅片 HF、HNO3 HF、HCl 3Si+4HNO3→3SiO2+2H2O+4NO↑ SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2↑ Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2 KOH 多晶硅片制绒效果图 单晶硅片制绒效果图 InOxside各槽的功能 Drying HF Bath Rinsing Rinsing KOH cleaning Rinsing 去PSG、去边缘 去除残余的酸 1、去PSG；2、去除残余的碱；3、去除金属离子 去除残余的化学品、清洁硅片 干燥硅片 Edge isolation + Phosphor glassetching n+ Si PSG PSG n+ Si n+ Si PSG HF、HNO3、H2SO4 KOH HF SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O SiF4 + 2HF= H2SiF6 总结起来，刻蚀反应分成两步： 1.硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化）。 2.二氧化硅和氢氟酸反应（快反应），生成四氟化硅和水（快反应），四氟化硅又和水化合成氟硅酸进入溶液。 硫酸不参与反应，仅仅是增加氢离子浓度，加快反应，增加溶液黏度（增大溶液与PSG薄层间的界面张力）和溶液密度。 Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2 SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O SiF4 + HF= H2SiF6 InTex管路图 传输系统示意图 化学品供应系统 Media Room 化学品供应单元 界面操作 登陆：service c03rena 点击“异常停止” 点击“手动模式” 点击“手动” 点击“F11” 点击“传送马达” 点击 “所有传送马达” 点击“配方” 在”关掉过程中 的干燥机”前打钩 点击“配方管理” 把配方写入PLC 常见的报警 碱槽泵的干燥保护 观察碱槽风刀工作状况，添加药液，清洗风刀 风刀清洗 关闭手阀 拆盖板、卸下风刀 放到扩散清洗间 用水枪冲洗，清理气孔 安装风刀 常见的报警 药液供给异常 查看报警信息，检查药房药桶，药液供给管道等。一般是药房相应的药液用完导致（通知生产更换） 传感器的组合报警 查看相应部分的传感器工作状态 擦拭传感器 调节传感器 无液 有液 安全槽泄露报警（上料滚轮会停止） 查看相应安全槽的状况 无液：调试传感器 有液：找出并解决故障，用吸酸车清理液体 冷却系统降至循环的最低温度以下或死机报警（上料滚轮停止） 处理措施：重新启动启动冷冻机 冷冻机开启步骤:开机时选择intex HT →Enter →factrgdefault →alltogether enter →yes (关闭电源需等待三分钟后开启) 溢出报警 查看相应传感器，如是药液过满可以手动排