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用于BaF_2闪烁光慢成分抑制的膜系设计及制备
第37卷第3期 原 子 能 科 学 技 术 Vol. 37 ,No. 3
2003年5月 Atomic Energy Science and Technology May 2003
用于 Ba F 闪烁光慢成分抑制的膜系设计及制备
2
曹二华 ,吴永刚 ,顾 牡 ,马晓辉 ,顾春时 ,陈玲燕
( 同济大学 波耳固体物理研究所,上海 200092)
摘要 :利用 BaF2 闪烁光快、慢成分处于不同波段的性质 ,设计出了具有特定带隙的膜系结构 ,用于抑制
发射光谱中的慢成分。在保证快成分具有一定透过率条件下 ,实现了对BaF2 闪烁光慢成分的全方向抑
γ
制 ,使晶体的快慢比得到很大提高。从膜系 射线辐照损伤的结果可知 :辐照对膜系透射带和截止带的
影响不大 ,辐照后的膜系仍能满足抑制要求。
关键词 :金属介电膜系 ;BaF 闪烁晶体;快慢比 ;辐照损伤
2
中图分类号:O484. 41 ; TL812. 1 文献标识码 :A 文章编号 :(2003)
Design and Fabrication of MetalDielectric Multilayers
for the Suppression of Slow Scintillation Component of BaF
2
CAO Erhua , WU Yonggang , GU Mu ,
MA Xiaohui , GU Chunshi , CHEN Lingyan
( Pohl Institute of Solid S tate Physics , Tongji U niversity , S hanghai 200092 , China)
Abstract : The fastest inorganic scintillators ———BaF2 has fast and slow scintillation compo
nents. The intensity of the slow scintillation component is 4~6 times higher than that of fast
one , so tremendous signal pileup is ineluctable under the condition of high counting rate. In
order to enhance the fastslow ratio in the scintillation spectrum of BaF2 , a metaldielectric
multilayer is designed and fabricated to suppress the slow scintillation component by taking
full advantage of the propert y that the fast and slow components are in different wavelength
regions. Th
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