表面处理对p-GaN欧姆接触的影响.pdf

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２８ １１ 犞狅犾．２８ 犖狅．１１ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００７ １１ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犖狅狏．２００７ 表面处理对狆犌犪犖欧姆接触的影响 ， １ １ １ ２ １ １ １ 郭德博 梁 萌 范曼宁 师宏伟 刘志强 王国宏 王良臣 　 　 　 　 　 　 　 （ 中国科学院半导体研究所，北京 ） １ １０００８３ 　 （ 河北科技师范学院数学物理系，秦皇岛 ） ２ ０６６００４ 　 摘要：分别用稀盐酸、王水以及（ ） 溶液处理 表面，通过测试样品表面 的 射线光电子能谱 犖犎 犛 犌犪犖 犗１狊 犡 ４ ２ 狆 （ ），比较了这些溶液去除 表面氧化层的能力；在经不同溶液处理后的样品表面，以相同的条件制作 ／ 犡犘犛 狆犌犪犖 犖犻 电极，并测试其与 的比接触电阻，结果表明经稀盐酸处理后的样品表面，由于其氧含量较高，不能与 ／ 犃狌 狆犌犪犖 犖犻 形成良好的欧姆接触，而经王水和（ ） 溶液处理后的 表面，能与 ／ 形成良好的欧姆接触；最 犃狌 犖犎 犛 犌犪犖 犖犻犃狌 ４ ２ 狆 后，通过比较样品表面的 ／ 原子浓度比，探讨了王水处理 表面能够形成良好欧姆接触的原因 犌犪犖 狆犌犪犖 ． 关键词：犌犪犖；欧姆接触；圆形传输线模型 ： 犘犃犆犆 ７３４０犖 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３１２８ 犃 ０２５３４１７７２００７１１１８１１０４ 　　　 　　　 地去除其表面氧化层，从而降低 与 的肖