超高亮度LED技术及其应用的概述.pdf

2007 年 3 月 连云港师范高等专科学校学报 March ,2007 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　 第 1 期 Journal of Lianyungang Teachers College No . 1 ( ) 文章编号 :1009 - 7740 2007 01 - 0093 - 03 超高亮度L ED 技术及其应用的概述 李 　强 (连云港师范高等专科学校 自然科学系 ,江苏 连云港 222006) 摘 　要 :文章简述了超高亮度LED 技术的发展历程和 目前的技术水平 ,在超高亮度LED 技术中所出现的新材料 和新的制造工艺以及当前各国的发展水平 。重点分析了目前超高亮度LED 技术在信号指示 、图形显示 、照明等技术 领域中的应用和实用化产品的普及情况 ,并且对超高亮度LED 技术的未来应用进行了展望 。 　　关键词 :LED ; A1GaInP ; In GaNLED ; 液晶 　　中图分类号 :TN 209 　　　　　　　　文献标识码 :A 0 　引言 管的户外全色显示成为现实 。 新型发光材料 L ED , 目前正在逐渐显现出良好 我国发展L ED 起步于 20 世纪 70 年代 ,80 年代 的发展前景 ,各国都投入了大量的人力和物力进行 形成产业 。全国约有 100 多家企业 ,95 % 的厂家都 研究 ,其工艺技术和材料也在迅猛发展 ,应用的领域 从事后道封装生产 ,所需管芯几乎全部从海外进口。 也在不断的拓宽 ,本文将对此展开综述 。 通过几个“五年计划”的技术改造 、技术攻关 、引进国 1 　超高亮度L ED 的发展历程 外先进设备和部分关键技术 ,使我国L ED 的生产技 世界上第一个商用二极管产生于 1960 年 。L ED 术已向前跨进了一步 。北京 、长春 、南 昌、上海 、山 ( ) 是英文 light emitting diode 发光二极管 的缩写 。20 东、河北等地的一些厂家 ,现已具有 GaAs 和 GaP 单 世纪 70 年代 ,最早的 GaP 、GaAsP 同质结红 、黄 、绿色 晶、外延片 、芯片的批量生产能力 ,从而改变了我国 低发光效率的L ED 已开始应用于指示灯 、数字和文 超高亮度 L ED 外延片 、芯片全部从海外进 口的局 字显示 。从此 ,L ED 开始进入多种应用领域 ,包括宇 面 。下文将对超高亮度 In GaA1PL ED 和 In GaNL ED 航 、飞机 、汽车 、工业应用 、通信 、消费类产品等 ,遍及 的原理 、结构 、性能 ,在汽车指示灯 、交通信号灯 、大 ( ) 国民经济各个部门和千家万户 ,具有寿命长 、可靠性 屏幕显示 、液晶显示 LCD 的背光照明、固体照明等 高 、工作电流小 、可与 TTL 、CMOS 数字电路兼容等许 领域中的应用情况逐一阐明。 多优点 ,因而一直受到使用者的青睐 。