FL3AB系列TMR(磁隧磁阻)芯片.pdf

TMR 磁性传感器芯片 FL3AB 系列 TMR(磁隧磁阻)芯片 概 述: SFL3AB系列TMR传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通电桥的设计， 包括四个非屏蔽高灵敏度（TMR）传感器元。当平行于传感器封装表明的磁场线 性变化时，惠斯通电桥提供差分输出，并且它能准确的进行温度补偿。此惠斯 通电桥的每个桥臂是一个约5K欧姆的TMR电阻，使SFL3AB芯片成为低功耗应 用的理想选择。 SFL3AB系列TMR芯片性能优越，采用小型SO-8封装形式，尺寸仅为6mm x 5mm x 1.7mm。 产品特性: TMR（磁隧磁阻）技术 兼容宽范围的电源电压 低功耗 优越的温度稳定性 极低磁滞 典型应用: 电流传感器 磁场传感器 角度传感器 位置传感器 测试曲线图： 下图列出了外加磁场强度变化（外加磁场±16Oe、 ±200Oe,激励电源 1V），对应SFL3AB传感器的典型输出曲线。 深圳市科赛科技开发有限公司 TMR 磁性传感器芯片 引脚定义及功能框图: 引脚号 符 号 引脚描述 3 GND 地 4 V- 模拟差分输出2 5 V+ 模拟差分输出1 6 Vcc 电 源 1、2、7、8 N/A 不接 极限参数： 参数 符 号 限值 单位 工作电压 VDD 10 V 存储温度 Tstg -50~70 ℃ 失效磁场 B 5000 Oe1 性能参数 (VDD=5.0V, TA=25℃, 差分输出 ): 参数 符 号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 工作电压 VDD 1 5 7 V 工作电流 IDD 10 50 70 uA 失调电压 VO @H=0Oe, Fit±15Oe -10 0 10 mV/V 失调电压温漂 Vof H=0Oe 0.015 mV/V/℃ 线性度 ￡L Fit+/-15Oe