TX-KD102MOSFET驱动器.doc

TX-KD102 MOSFET驱动器 原理框图 ? 特点 单管大功率VMOS管驱动器 无需隔离电源 工作占空比5－95％ 关断时输出为负电平 应用 可驱动并联的几只大功率MOSFET或IGBT管, 如IRF460，适合较大功率的斩波电路。 PWM/PFM控制和移相控制均可。 外形尺寸 电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得:Ta=25℃, Vcc=15V, fop=50KHz) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入脉冲幅值(1) VCC 　 14.5 15 16 V 输入电流(2) Iin CL=0 ? 15 ? mA CL=47n,fop=50KHz 　 100 　 输出电压(4) VOH Rg=3.3Ω,CL=10-47nF 14 14.5 15 V VOL -5 ? -8 V 输出峰值电流 IOHP Rg=2.2Ω, CL=47nF 　 4 　 A IOLP 　 -4 　 A 输出总电荷 Qout 　 　 1000 1200 nC 绝缘电压 VISO 50Hz/1 min 　 2500 　 Vrms 工作频率(3) fop 　 40 　 150 KHz 最小工作脉宽 Tonmin CL=47nF 0.8 ? μS 最大工作脉宽 Toffmin CL=47nF 0.8 ? μS 上升延迟 trd Rg=3.3Ω, CL=10nF 　 50 100 ns 上升时间 tr 　 80 120 ns 下降延迟 tfd 　 50 100 ns 下降时间 tf 　 80 120 ns 工作温度 Top fop=25KHz,CL=47n　 -30 　 90 ℃ 存储温度 Tst 　 -50 　 120 ℃ 说明1.即PWM前级IC的工作电压,参见图1、图2。误差大些，仍可工作，但可能对其它参数有影响。2.等效输入电流，参见图1。3.用户可以要求更低的频率。用于斩波电路中，最低工作频率可到20KHz。最高频率是在Ta=55℃、CL＝39n时达到的，温度过高、等效负载过大，会烧毁驱动器。4.可按用户要求更改。5.为更好地使用KD系列驱动器，请参阅KD系列驱动器使用注意事项。 图1.驱动器等效输入电流测试图 ? 图2.应用连接图 1. R1可用2.2－10Ω，C1可用=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。2. T1、T2可用=1.5A/40V/60MHz的三极管，D1、D2最好用=0.2A/25V的肖特基管。3. R2可用2.2－22Ω。4. R3须在3.3－4.7KΩ。5. D为续流二极管，由用户根据情况选用。