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一、什么是T3Ster-simu
世界领先的半导体热特性测试仪
什么是 T3Ster
T3Ster ® [发音:tri-ster] the Thermal Transient Tester:热瞬态测试仪,用
于半导体器件的先进热特性测试仪,同时用于测试 IC、SoC、SIP、散热器、热管等的热特
性。
T3Ster 兼具 JESD51-1定义的静态测试法(Static Mode)与动态测试法(Dynamic Mode),
能够实时采集器件瞬态温度响应曲线 (包括升温曲线与降温曲线),其采样率高达 1 微
秒,测试延迟时间高达 1 微秒,结温分辨率高达 0.01℃。
T3Ster 既能测试稳态热阻,也能测试瞬态热阻抗。
T3Ster的研发者MicRed是JEDEC必威体育精装版的结壳热阻(θjc )测试标准(JESD51-14)的制
定者,T3Ster是目前全球唯一满足此标准的仪器。
T3Ster 的测试方法符合 IEC 60747系列标准。
T3Ster 的研发者 MicRed 制定了全球第一个用于测试 LED 的国际标准 JESD51-51,以及
LED 光热一体化的测试标准 JESD51-52。T3Ster 和 TeraLED 是目前全球唯一满足此标准
所规定的光热一体化测试要求的。
T3Ster 的测试方法符合 MIL-STD-883H method 1012.1 和 MIL-750E 3100 系列的要求。
T3Ster 独创的 Structure Function(结构函数)分析法,能够分析器件热传导路径上每
层结构的热学性能(热阻和热容参数),构建器件等效热学模型,是器件封装工艺、可
靠性试验、材料热特性以及接触热阻的强大支持工具。因此被誉为热测试中的“X 射线”。
T3Ster 可以和热仿真软件 Flotherm,FloEFD 无缝结合,将实际测试得到的器件热学参
数导入仿真软件进行后续仿真优化。
T3Ster 的应用范围及功能
应用范围:
各种三极管、二极管等半导体分立器件,包括:常见的半导体闸流管、双极型晶体管、
以及大功率 IGBT、MOSFET、LED 等器件;
各种复杂的 IC以及 MCM、SIP、SoC 等新型结构 ;
各种复杂的散热模组的热特性测试,如热管、风扇等 。
功能:
半导体器件结温测量;
半导体器件稳态热阻及瞬态热阻抗测量;
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世界领先的半导体热特性测试仪
半导体器件热阻和热容测量,给出器件的热阻热容结构(RC 网络结构);
半导体器件封装内部结构分析,包括器件封装内部每层结构(芯片+焊接层+热沉等)的
热阻和热容参数;
半导体器件老化试验分析和封装缺陷诊断,帮助用户准确定位封装内部的缺陷结构。
材料热特性测量(导热系数和比热容)
接触热阻测量,包括导热胶、新型热接触材料的导热性能测试。
测试方法——基于电学法的热瞬态测试技术
测试方法——电学法
寻找器件内部具有温度敏感特性的电学参数,通过测量该温度敏感参数(TSP)的变化
来得到结温的变化。
TSP 的选择:一般选取器件内 PN 结的正向结电压。
测试技术:热瞬态测试
当器件的功率发生变化时,器件的结温会从一个热稳定状态变到另一个稳定状态,
T3Ster 将会记录结温瞬态变化过程(包括升温过程与降温过程)。
一次测试,既可以得到稳态的结温热阻数据,也可以得到结温随着时间的瞬态变化曲线。
瞬态温度响应曲线包含了热流传导路径中每层结构的详细热学信息(热阻和热容参数)。
组件配置
热测试主机
计算机控制接口 USB 接口,满足数据传输提取方便的要求
测试时间 以分钟为单位计
结温测试分辨率 0.01℃
最大加热时间 不限
最小测试延迟时间 1µs (用户可根据需要在软件中调节1µs~10000s 不限)
RC 网络模型级数 2-100 个
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