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一种改善快速晶闸管dv_dt_di_dt耐量的方法
82 《》1997 3 1997.8
一种改善快速晶闸管dv/d t 、d i /d t 耐量的方法
A Method to Improve the dv /dt and d i/dt Capabilities of a Fast Sw itching Thyristor
(济南 25001 )
(北京 100088)
:dv/d t、di/dt , 。
Abstract:The improvement on the dv/dt, di/dt capabilities of a fast switching thyristor is studied w ith
the Ga-gaussian distribution, and experimental results are given.
:
Keywords:impuirty;d i/dt;dv/d t;fastswithing thyristor
1 0.6Ψ/ ◆,
。
, P N 。 ②,
, 30μm , 。
③ SiO /Si ,
、, 2
、、dv /d t 、 , pn
[1] 。
di/d t 。P
, ④,
[2] 10μs , 。
,
, 、, ⑤, ,
, , 。
;, 3
, , 200A 、500A,
。, 1200 ～1600V , H
、, =360 ～380μm;ρN = 5 ～65Ψ·cm 。
, ,
, 。 , :
, , 17 -3
N S1=1～3×10 cm ;
dv/d t 1000V/μs、d i/dt X j1=65 ～70μm;
200A/μs。 τ≥8 ～10μs;
p
2 20 -3
N S2=8×10 cm ;
, X j2=20μm ;
H (Ga O ), N
2 2 3 2 τp≥15μs。
, SiO τ,
2 p
[2]
, 。 1～2μs, 。
:
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