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快速响应SOI马赫曾德热光调制器
第 卷第 期 半 导 体 学 报
23 5 VOl. 23 NO. 5
年 月
2002 5 C~INESE JOURNAL OF SEMICONDUC ORS May 2002
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快速响应SOI 马赫曾德热光调制器%
1 1 1 1 1 2
魏红振 余金中 夏金松 严清峰 刘忠立 房昌水
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室 北京
(1 100083D
山东大学人工晶体研究所 济南
(2 250100D
摘要 给出了 分支 热光调制器的模型 实验研制了基于 的 热光调制器 调制
, ( - - D
Y MZI SOI SilicOH OH iHSulatOr MZI
器的消光比为-16. 5dB 开关的上升时间为 10pS 下降时间为 20pS 相应的功耗为 0. 39W.
关键词 集成光学 调制器 热光开关
, ; ; SOI ;
EEACC , 1250
中图分类号, N 36 文献标识码, A 文章编号, 0253-4177(2002D 05-0509-04
响应.
1 引言
2 Y 分支马赫曾德光调制器的基本结
当前光子器件的研究朝着材料多元化 结构多
~ 构
元化的方向发展 在各种材料中 由于硅的加工工艺
.
极其成熟 基集成光学始终是人们研究的一个重 分支 干涉型调制器的结构如图1 ( D 所
Si Y MZ a
要方向 光波导具有与 示 由两个 分支和两个相移臂组成 相移臂的长
. ( - - D Y .
SOI SilicOH OH iHSulatOr
电路工艺兼容的特点 而且可制作高速 度
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