HT8MCU内建EEPROM范例–掉电记忆.PDF

HT8 MCU 内建EEPROM 范例 –掉电记忆 HT8 MCU 内建EEPROM 范例–掉电记忆 文件编码：AN0409S 简介 HOLTEK 8-bit Flash MCU 大多内建有EEPROM Data Memory，储存容量有32、64、128、 256 、512 Bytes 等多种类型，可满足各种需要数据保存的应用场合，如产品工作时间、模式 的保存，量产时本机校准数据的保存、遥控器地址、编码波形的保存，用户测试数据的保 存等。本文以产品工作时间、模式等小量数据在系统掉电保存为例，对数据保存的方法以 及一些注意事项进行说明，希望能给用户带来一些帮助。 功能说明 HOLTEK MCU 内建EEPROM 的一些参数如下所示：  工作电压：一般为2.2V~5.5V ，与MCU 工作电压有关 (MCU 正常工作时才能通过内部 程序进行读写)  工作温度：-40 ℃~85 ℃ 读写时间：以Byte 为读写单位，读周期为4 个系统时钟，写周期为4ms Max. 读写次数：1,000,000 保存时间：10 年 相关寄存器：EEC-控制寄存器，位于RAM Bank1 EED-数据寄存器，位于RAM Bank0 EEA-地址寄存器，位于RAM Bank0 EEAH-高位地址寄存器，仅在EEPROM Size 大于256Bytes 的MCU 出现， 如HT66F007 ，位于RAM Bank0 用户通过间接选址的方式操作EEC ，启动读、写的时序，实现EEPROM 数据的读写。另外 需要注意的是在读、写EEPROM 时，MCU 的耗电会增加几个mA 。 AN0409S V1.00 1 / 6 2016-01-25 HT8 MCU 内建EEPROM 范例 –掉电记忆 工作原理 一些产品设计时，可能会需要记录产品的累积使用时间、次数、当前工作模式等数据，开 发者为了减少EEPROM 的写次数(延长EEPROM 使用寿命)和记录准确的数据，一般采用系 统掉电时才对EEPROM 写入当前的数据。系统再次上电时，从预定的EEPROM 地址中读 取上次保存的数据，恢复工作模式，继续累积使用时间或次数。 掉电保存数据时，需考虑以下几个问题点： 1. MCU 如何侦测系统是否已掉电。 MCU 可通过AC 电压过零信号(市电供电时)或其它外围电路判断系统供电是否已移除。 2. 通过需要保存的数据量计算写EEPROM 需要的时间。 以写一个byte 的数据需4ms 的时间来估算写入需保存的所有数据的时间。 3. 因写EEPROM 会增加耗电，需评估系统掉电后储能电容或备用电池上的电能能否足够维 持MCU 写完全部数据。 系统掉电后，写EEPROM 大致需要增加5mA 的耗电，当仅有储能电容供电时，可以通 过公式Q = C ×V = I ×T 来计算，假设电路总耗电为7mA，MCU 工作电压为5V，MCU LVR 设为2.1V ，储能电容为100µF ，则在MCU 复位之前，储能电容可以释放的能量Q = 100µF ×(5V –2.1V) = 7mA ×T，T 约为41ms ，可以完成10 个Byte EEPROM