内存品牌及识别内存剖析.ppt

内存品牌及识别内存 常见内存及芯片生产厂家 品 牌 标 识 品 牌 标 识 现代 Hynix 金邦 GEIL 金士顿 Kingston 美光 Micron 胜创 KingMax 南亚 NANYA 三星 SAMSUNG 茂矽 MOSEI 目前市场上内存品牌较多，不过真正生产内存芯片的厂商只有几家，其他很多内存制造商都是采用别人的内存颗粒，如Kingmax生产的内存就是采用好几家内存芯片厂商生产的内存颗粒。全球的内存芯片厂商有Samsung、Hyundai、KingSton等几家。 Samsung Samsung是世界上最大的内存芯片制造商，目前市场上销售的优质内存大都采用Samsung的内存芯片。 三星SDRAM内存芯片 三星DDRAM内存芯片 三星SDRAM内存芯片 三星SDRAM内存芯片内存颗粒的型号采用16位数字编码命名。 三星SDRAM内存芯片编号具有一定的含义，例如，KM416S16230A-G10的含义为：KM表示三星内存，4代表RAM种类（4=DRAM），16代表内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16），S代表SDRAM，16代表内存芯片密度16Mbit（1=1M、2=2M、4=4M、8=8M、16=16M），2代表刷新（0=4K、1=2K、2=8K），3表示内存排数（2=2排、3=4排），0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL），A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代），G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新），10代表最高频率（7=7ns[143MHz]、8=8ns[125MHz]、10=10ns[100MHz]、H=100MHz，CAS值为2、L=100MHz，CAS值为3）。 三星内存的容量可通过编号计算出来，即用“S”后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即该内存为256MB SDRAM内存，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns（100MHz）。 三星DDRAM内存芯片 三星DDRAM内存芯片编号（如KM416H4030T）表示：KM表示三星内存，4代表RAM种类（4=DRAM），16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32），H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]），4代表内存密度4Mbit（4=4M、8=8M、16=16M、32=32M、64=64M、12=128M、25=256M、51=512M、1G=1G、2G=2G、4G=4G），0代表刷新（0=64M/4K[15.6μs]、1=32M/2K[15.6μs]、2=128M/8K[15.6μs]、3=64M/8K[7.8μs]、4=128M/16K[7.8μs]）； 3表示内存排数（3=4排、4=8排），0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3（3.V）、1=SSTL_2（2.5V）），T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA（CSP）），Z代表速度133MHz（5=5ns，200MHz（400Mbit/s）、6=6ns，166MHz（333Mbit/s）、Y=6.7ns，150MHz（300Mbit/s）、Z=7.5ns，133MHz（266Mbit/s）、8=8ns，125MHz（250Mbit/s）、0=10ns，100MHz（200Mbit/s））。即三星4MB×16=64MB内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0=64m/4K（15.6μs），内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3（3.3V），封装类型为66针TSOP II，速度133MHz。 如图4-9所示为三星DDRAM内存。 图4-9 Micron美光 SDRAM Rambus DDR SDRAM Micron（美光）是美国最大的内存颗粒制造商。 其SDRAM芯片编号格式为MT48abcdMefAgTG-hij，其中MT代表Micron的产品，48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus），ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS），cdMef设备号码（深度×宽度），无字母=bit，K=Kilobit（KB），M=Megabit（MB），G=Gigabit（GB