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第 26 卷第 4 期 长 春 工 业 大 学 学 报 自然科学版 Vol26 ,No . 4
2005 年 12 月 J ournal of Changchun U niver sit y of Techonology (Nat ural Science Edition) Dec2005
文章编号 : (2005)
屏蔽效能的工程计算
1 2 1
赵万章 , 吴 琼 , 刘江涛
( 1. 吉林大学 图书馆 , 吉林 长春 1300 12 ; 2 . 长春工业大学 网络中心 , 吉林 长春 1300 12)
摘 要 : 基于 EMC 的基本要求 ,针对工程上电磁屏蔽效能的繁杂运算 ,研究了电磁薄膜屏蔽的工程算法 。结
( ) ( ) ( )
合屏蔽体吸收损耗 ABL 、反射损耗 RBL 和多重反射损耗修正因子 MU R 的推论过程 ,在电磁场理论 、传
输线理论和涡流屏蔽效应的基础上 ,总结了一些工程算法 ,极大地方便了电磁兼容技术的工程应用和实践 。
关键词 : 电磁兼容 ; 电磁干扰 ; 电磁屏蔽
中图分类号 : TN03 文献标识码 : A
电场屏蔽效能 :
0 引 言
1 屏蔽前的电场
解释电磁屏蔽现象 ,就要从麦克斯韦方程组 S E E = 20lg TE = 20lg 屏蔽后的电场
去发现屏蔽现象的本质特征 。随着偏微分方程边 ( 1)
值问题和偏微分算子的理论计算与发展 ,人们对 磁场屏蔽效能 :
运用经典数学方法去追求严格的解析求解仍有一
1 屏蔽前的磁场
些疑问。尤其是在工程领域中 ,如何去确定一些 S E H = 20lg TH = 20lg 屏蔽后的磁场
行之有效的计算公式和计算方法 ,仍需一些近似
(2)
处理 ,而有些则缺少规范的理论性论证处理 。 式中, T 为传输系数, 对电场而言, T 是指屏
屏蔽是电磁兼容技术得以实现的重要手段之
蔽时某点的电场强度与非屏蔽时该点的电场强度
一 ,屏蔽的目的就是要切断内外一切干扰源相互 之比; 对磁场而言, T 是指屏蔽时某点的磁场强度
间形成电磁骚扰的途径 。它的计算非常复杂 ,求 与非屏蔽时该点的磁场强度之比。
解析解的过程一定要在有 、无屏蔽结构时对比条
件下求解麦克斯韦方程 。解析解由于只适用于少 2 静态场的电磁屏蔽
数几种图形而受到局限。近年来 , 由于数学计算 2 . 1 静磁场的屏蔽[ 1 , 2]
软件和计算机应用的发展 ,使数值法求值在计算
首先, 利用无限长空心圆柱管的例子来说明
上有广泛的应用空间 ,原因是数值法精确且
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