温度对IV测试影响.ppt

Company Name Dept. Name Company Name Dept. Name 报告人: 温度对IV测试的影响 组件工艺部 * 目 录 一、温度对组件电性能的影响 二、测试仪对温度的补偿 三、温度对组件测试结果的影响 四、不同温度下组件功率测试对比数据 * * 一、温度对组件电性能的影响 正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低 * * 二、测试仪对温度的补偿 在不同温度下测试，测试仪对组件功率进行补偿 例（以260W多晶组件温度由25℃升至26℃为例） ： P=260+（26-25℃）*260*（-0.43%/℃）=258.882W 即：功率为260W的组件，温度升高1℃后功率降低1.118W，测试仪会对该组件补 偿1.118W。 组件温度补偿系数： 组件类型 多晶硅组件 单晶硅组件 短路电流温度补偿系数(αIsc) +0.062%/℃ +0.049%/℃ 开路电流温度补偿系数(βVoc) -0.330%/℃ -0.340%/℃ 最大功率温度补偿系数(γPmp) -0.450%/℃ -0.430%/℃ * * 三、温度对组件测试结果的影响 组件测试温度要求25±2℃，湿度≤70%，要求测试保持恒温恒湿，温度波动大可能导致组件表面温度与组件内部电池片温度差异较大，或温度不均；测试仪的温度补偿将出现判断错误，导致最终功率值发生偏差。 例如：假设1件多晶组件在25℃下标准测试结果为250W，他在以下不同温度下将出现不同测试结果（以下为理论过程） 组件内部温度 背板温度 结果(W) 结果判定 可能情况 25℃ 25℃ 250 OK 组件与背板温度一致 23℃ 23℃ 250 OK 组件与背板温度一致 23℃ 25℃ 252.25 虚高NG 背板温度受环境温度变化大，组件内外温度不一致 25℃ 23℃ 247.75 偏低NG 背板温度受环境温度变化大，组件内外温度不一致 备注 测试仪是通过组件背板温度来进行补偿的，背板温度与组件内部温度差别大会导致测试仪出现补偿错误; * * 四、不同温度下组件功率测试对比数据 数据分析： 　 1、21℃下功率偏差较大，在23℃、25℃、27℃、29℃下测试最大差异均在1W内，差异较小。 实验结果： 　 1、Pasan测试仪通过温度补偿系数，组件在（23℃～29℃）下测功率测试差异可以控制 在＜1W； 2、组件IV测试前至少恒温2小时以上，测试时背板温度要求与保温时温度一致，防止测试仪出现补偿错误，导 致测试结果出现偏差。  * * Company Name Dept. Name Company Name Dept. Name 报告人: * *