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例4 例5 例7 四、典型晶体类型:离子晶体的空间结构 根据形成晶体的化合物的种类不同可以将晶体分为:离子晶体、分子晶体、原子晶体和金属晶体。 1. 离子晶体 离子键无方向性和饱和性,在离子晶体中正、负离子尽可能地与异号离子接触,采用最密堆积。 离子晶体可以看作大离子进行等径球密堆积,小离子填充在相应空隙中形成的。 离子晶体多种多样,但主要可归结为3种基本结构型式。 配位多面体的极限半径比 配位多面体 配位数 半径比(r+/r-)min 平面三角形 3 0.155 四面体 4 0.225 八面体 6 0.414 立方体 8 0.732 立方八面体 12 1.000 构性判断 半径比(r+/r-) 推测构型 0.225-0.414 四面体配位 0.414-0.732 八面体配位 0.732 立方体配位 影响晶体结构的其它因素 M-X间的共价键,方向性; 有的过渡金属形成M-M键,使配位多面体变形; M周围的配体X的配位场效应使离子配位多面体变形。 实验测定是最终标准。 (1)NaCl (1)立方晶系,面心立方晶胞; (2)Na+和Cl- 配位数都是6; (3)Z=4 (4) Na+,C1-,离子键。 (5)Cl- 离子和Na+离子沿(111)周期为|AcBaCb|地堆积,ABC表示Cl- 离子,abc表示Na+离子; Na+填充在Cl-的正八面体空隙中。 NaCl的晶胞结构和密堆积层排列 (2) CsCl型: (1)立方晶系,简单立方晶胞。 (2)Z=1。 (3)Cs+,Cl-,离子键。 (4)配位数8:8。 (5) 原子的坐标是:Cl-:0 0 0;Cs+:1/2 1/2 1/2 (CsCl, CsBr, CsI, NH4Cl) (3)ZnS ZnS是S2-最密堆积,Zn2+填充在一半四面体空隙中。分立方ZnS和六方ZnS。 立方ZnS (1)立方晶系,面心立方晶胞;Z=4 (2)S2-立方最密堆积|AaBbCc| (3)配位数4:4。 (4)Zn原子位于面心点阵的阵 点位置上;S原子也位于另一个这 样的点阵的阵点位置上,后一个点阵对于前一个点阵的位移是体对角线底1/4。 4、配位数与 r+/r – 的关系 0.225——0.414 4配位 ZnS式晶体结构 0.414——0.732 6配位 NaCl式晶体结构 0.732——1.000 8配位 CsCl式晶体结构 且r+ 再增大,则达到12 配位;r- 再减小,则达到3配位。 五、典型晶体:金属晶体的密堆积结构 金属键是一种很强的化学键,其本质是金属中自由电子在整个金属晶体中自由运动,从而形成了一种强烈的吸引作用。 绝大多数金属单质都采用A1、A2和A3型堆积方式;而极少数如:Sn、Ge、Mn等采用A4型或其它特殊结构型式。 金属晶体 ABABAB…, 配位数:12. 例: Mg and Zn、Ti ABCABC…, 配为数 : 12, 例: Al, Cu, Ag, Au 立方密堆积,面心 1 2 3 4 5 6 第一层:密置型排列 1 2 3 4 5 6 关键是第三层,对第一、二层来说,第三层可以有两种最紧密的堆积方式。 第二层:将球对准 1,3,5 位。 ( 或对准 2,4,6 位,其情形是一样的 ,即一、二层不重叠) 活动与探究:以密置排列进行三维紧密堆积 下图是此种六方堆积的前视图 A B A B A 第一种是将球对准第一层的球。 1 2 3 4 5 6 于是每两层形成一个周期,即 ABAB… 堆积方式,叫做六方紧密堆积。 六方堆积(ABA型)形成过程 六方堆积的晶胞 第三层的另一种排列方式:将球对准第一层的 2,4,6 位,不同于 AB 两层的位置,这是 C 层。 1 2 3 4 5 6 1 2
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