在真空下共晶键合之形成对晶圆键合之微结构影响.PDF

Nanometer-Scale Technology and Materials Symposium 2013 Changhua, Taiwan, 13, December 2013 在真空下共晶鍵合之形成對晶圓鍵合之微結構影響 趙偉勝 1 1 2* 童鈞彥 楊茹媛 1 美環太陽能股份有限公司 高雄市路竹區路科二路 61號 2樓 2 國立屏東科技大學材料工程所 屏東縣內埔鄉學府路 1號 （NSC101-2628-E-020-002-MY3 ） (102CE04) 摘 要 本研究利用真空鍵合法於鍵合溫度580 ºC 、持溫時間為1小時下進行矽晶圓鍵合，並探討不 同金屬膜層之組合對鍵合微結構特性之影響。欲判斷矽晶圓對接合界面的形貌和接合情況，本 研究係採用掃描式電子顯微鏡（SEM, Scanning Electron Microscope ）觀察矽晶圓對橫截面的接 合界面形貌。由接合界面層的寬度與形貌，作為接合情況良好與否的佐證。實驗最佳結果顯示： 濺鍍條件 1B之矽晶圓，由於Al/Si在真空下於580 ºC的高溫下已可形成共晶，故無鍵合上之缺陷。 關鍵詞：真空鍵合法、矽晶圓鍵合、掃描式電子顯微鏡。 Effects of formation of eutectic bonding prepared under vacuum atmosphere on microstructure of wafer bonding 1 1 2* WEI-SHENG CHAO , CHUN-YEN TUNG , AND RU-YUAN YANG 1 MH Solar Company Limited Rm N201, 2F., No.61, Luke 2nd Rd.,Luzhu Dist., Kaohsiung City 821, Taiwan 2Institute of Materials Engineering, Pingtung University of Science and Technology No.1, Shuehfu Rd., Neipu, Pingtung, 91201 Taiwan （NSC101-2628-E-020-002-MY3 ） (102CE04) ABSTRACT In this