场效应晶体管和基本放大电路.ppt

２．应用微变等效电路分析法分析场效应管放大电路 （１）共源放大电路 1)静态分析： 自给偏置电路 * 微变等效电路 电压增益 2）动态分析： * 输入电阻 输出电阻 * 例3-3　图示电路, 计算Ａｕ、Ｒｉ和ＲＯ，已知 解： 由于gm值已给，因此不需要进行静态分析。 * 动态分析： 1）电压增益 * 共源电路的电压增益比共射电路小，输入电阻大 输入与输出电阻 * （２）共漏放大电路 静态分析 * ( ,源极跟随器) 微变等效电路 ②输入电阻 ①电压增益 动态分析 * ③输出电阻 断开负载，输入信号短路，输出端加电压，得到求输出电阻的电路　 输出电阻较小 （２）共漏放大电路 * 解 (1) 例３-４图示放大电路, UGS(off)=-4V, IDSS=5mA (1)求静态工作点IDQ和UGSQ (2)计算Au、Ri和ＲＯ * 计算gm 电压增益 * 输入电阻和输出电阻 * 场效应管的三种基本接法： 共源、共漏和共栅分别与双极型晶体管的共射、共集和共基对应，相应的输出量与输入量之间的大小和相位关系一致，可以实现反相电压放大、电压跟随、电流跟随的功能。 * 小结 一、场效应管 1.分类 结型、增强型MOS管、耗尽型MOS管； P沟道，N沟道 2. 各种场效应管的符号、特性曲线，电流控制关系及简单工作原理。 3. 转移特性表达式（iD与uGS) * 二、场效应管放大电路 1、电路正常放大的条件（习题3-3，4） 2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD 1）静态工作点的分析计算。 2）动态性能指标的计算：微变等效电路 * * 制造时,在sio2绝缘层中掺入大量的正离子,即使UGS =0，在正离子的作用下，源-漏之间也存在导电沟道。只要加正向UDS ，就会产生流入漏极的电流ID。 UGS0,并且当UGS小于某一值时，导电沟道消失，此时的UGS称为夹断电压UGS(off) 。 结构示意图 P 源极s 漏极d 栅极g B N+ N+ 正离子 反型层 SiO2 2、N沟道耗尽型MOS管 * d N沟道符号 B s g P沟道符号 d B s g MOS管符号 D B S G N沟道符号 D B S G P沟道符号 耗尽型MOS管符号 增强型MOS管符号 * 4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 UGS / V 2. 特性曲线 ?ID ?UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V ID /mA ID /mA * 场效应管的符号及特性 76页 结型N沟道 结型P沟道 NMOS增强型 NMOS耗尽型 PMOS增强型 PMOS耗尽型 （+） （+） （+） （+） （-） （-） （-） （-） * * 判断N沟道结型场效应管的工作状态 UGS（off） 0 UGSUGS（off） ：夹断区 UGSUGS（off） ， UGDUGS（off） ：恒流区 UGSUGS（off） ， UGDUGS（off） ：可变电阻区 * 判断MOS管的工作状态 N沟道增强型： UGS（th） 0 UGSUGS（th） ：夹断区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：恒流区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：可变电阻区 * P沟道增强型： UGS（th） 0 UGSUGS（th） ：夹断区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：恒流区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：可变电阻区 测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及它们的开启电压如表所示。试分析各管的工作状态（夹断区、恒流区、可变电阻区）。 管号 UGS(th)/V Us/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 -5 1 3 T2 -4 3 3 10 T3 -4 6 0 5 恒流区 夹断区 可变电阻区 增强型 NMOS PMOS * 3.1.3 场效应管的主要参数 1、直流参数 （1）开启电压UGS(th) UDS为固定值能产生漏极电流ID所需的栅-源电压UGS的最小值。 增强型MOS管的参数。 （NMOS管为正，PMOS管为负） * （ 2）夹断电压 UGS(off) UDS为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅-源电压。 结型场效应管和耗尽型MOS管的参数。 （NMOS管为负，PMOS管为正）。 * （4）直流输入电阻RGS（DC） 栅-源电压与栅极电流的比值，