模块五 典型放大电路的分析与测试.ppt

模块五 典型放大电路分析及测试 课题5.1半导体器件识别与测试 课题5.2 典型放大电路的分析与测试 ﹡课题5.3 阅读材料：场效应管及放大电路简介 课题5.1半导体器件识别与测试 知识与技能要点 半导体及其导电性能，PN结及单向导电性； 二极管的结构、分类、符号、V—A特性、电路模型及应用； 三极管的结构、分类、符号、输入输出特性； 二极管、三极管的识别。 （2）N型半导体和 P 型半导体 P 型半导体 （3）PN结及其单向导电性 1） PN结的形成 2） PN结的单向导电性 ② PN 结加反向电压（反向偏置） 2. 半导体二极管 (1) 基本结构 (2) 伏安特性 (3) 主要参数 二极管电路分析举例 3. 稳压二极管 (3) 主要参数 5.1.2半导体三极管及测试 1. 基本结构 2. 电流分配和放大原理 (1) 三极管放大的外部条件 (2)各电极电流关系及电流放大作用 3. 特性曲线 (1)输入特性 (2) 输出特性 4. 主要参数 (1) 电流放大系数，? 技能训练 二极管与三极管测试 （请参考P135） 课题5.2 典型放大电路的分析与测试 知识与技能要点 放大的概念、放大电路的组成； 共射放大电路的工作原理及波形分析； 等效电路法求解共射放大电路的静态工作点及动态参数； 其它形式的电路基本构成，电路的特点、性能参数和应用特点； 反馈的基本概念及反馈类型的判断； 负反馈放大电路对电路性能的影响； 多级放大电路的耦合方式及交流性能计算 差分放大电路的特点及分析方法； 功率放大电路的基本概念和分类。 结论： 结论： 结论： (4)直流通路和交流通路 2. 放大电路的静态分析 (1) 用估算法确定静态值 (2) 用图解法确定静态值 3.放大电路的动态分析 (1) 微变等效电路法 动态分析图解法 （2） 非线性失真 非线性失真 （3） 静态工作点的稳定 ①温度变化对静态工作点的影响 ② 分压式偏置电路 1） 稳定Q点的原理 稳定Q点的原理 ② 静态工作点的计算 ③ 动态分析 3. 负反馈对放大电路性能的影响 (1) 降低放大倍数 (2)提高放大倍数的稳定性 (3) 改善波形失真 (4)展宽通频带 (5) 对输入电阻的影响 1. 多级放大电路及其级间耦合方式 (1) 阻容耦合 例 解: 解: 解: (2) 直接耦合 2.差动放大电路 (1) 差动放大电路的工作情况 ① 零点漂移的抑制 ②有信号输入时的工作情况 ②有信号输入时的工作情况 3) 比较输入 3.互补对称功率放大电路 （1） 对功率放大电路的基本要求 （2） 互补对称放大电路 ①OTL电路 技能训练 晶体管共射极单管放大电路测试 （请参考P145） 增强型——UGS=0时,无导电沟道 耗尽型——UGS=0时,有导电沟道 类型 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 在分立元件中，一般源极和衬底相连。 结构 （1）增强型MOS管（N沟道） ①结构和符号 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 符号 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 衬底 G D S B 衬底 G D S B N沟道 P沟道 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 相当于两个PN结反串 剖析局部 UGS=0时, D、S间加电压，无导电沟道。 ＋ － ＋ － N P N 金属板 绝缘层 P型衬底 耗尽层 反型层 　 UGS＞0时,金属层聚集正电荷，排斥衬底里的空穴，剩下负离子，形成耗尽层。 ②导电沟道的形成 ＋ － PN结 　 UGS增大时,电场将电子吸引到半导体表面，形成反型层，即构成导电沟道。 衬底 G B UGSUGS（th） 夹断 UGSUGS（th) 导通 UGS（th）开启电压（阈值电压、门限电压） + - D G S P型硅衬底 N+ N+ 　G、S间加电压， 　UGS＞0，产生导电沟道 两种导电沟道 N沟道 P沟道 两种类型 N沟道绝缘栅场效应管 P沟道绝缘栅场效应管 P型硅衬底 D G S N+ N+ + - + - EC P型硅衬底 D G S N+ N+ ID ③工作电压 栅源间加正压： UGS0，形成导电沟道。 漏源间加正压： UDS0， 形成漏流ID。 栅漏间电压： UGD = UGS - UDS ED ＋ － 1）导电沟道呈楔形分布 s端最厚,d端最薄。uDS使靠漏极的电位高，与栅极g之间的电位差小，所以靠近漏极的uGD小，沟道窄。 可见： + - EC P型硅衬底 D G S N+ N+ ID ED ＋ － 栅漏间电压： uGD = uGS - uD