GB/T 32495-2016表面化学分析　二次离子质谱　硅中砷的深度剖析方法.pdf

ICS71.040.40 G04 中华人 民共和 国国家标准 / — / : GBT32495 2016ISO124062010 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 — — Surfacechemicalanalsis Secondar-ionmasssectrometr y y p y Methodfordeth rofilin ofarsenicinsilicon p p g ( : , ) ISO124062010IDT 2016-02-24发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — / : GBT32495 2016ISO 124062010 目 次 前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅰ 引言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅱ 1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1 2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1 4 符号和缩略语 …………………………………………………………………………………………… 1 5 原理 ……………………………………………………………………………………………………… 2 6 参考物质 ………………………………………………………………………………………………… 2 6.1 用于校准相对灵敏度因子的参考物质 …………………………………………………………… 2 6.2 用于校准深度的参考物质 ………………………………………………………………………… 2 7 仪器 ……………………………………………………………………………………………………… 2 7.1 二次离子质谱仪 …………………………………………………………………………………… 2 7.2 触针式轮廓仪 ……………………………………………………………………………………… 2 7.3 光学干涉仪 ………………………………………………………………………………………… 2 8 样品 ……………………………………………………………………………………………………… 2 9 步骤 ……………………………………………………………………………………………………… 2 9.1 二次离子质谱仪的调整 …………………………………………………………………………… 2 9.2 优化二次离子质谱仪的设定 ……………………………………………………………………… 3 9.3 进样 ………………………………………………………………………………………………… 3 9.4 被测离子 …………………………………………………………………………………………… 3 9.5 样品检测 ………………………………