GB/T 32651-2016采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法.pdf

ICS29.045 H 82 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT32651 2016 采用高质量分辨率辉光放电 质谱法测量太阳能级硅中 痕量元素的测试方法 Testmethodformeasurin traceelementsin hotovoltaic-rade g p g siliconb hih-massresolution lowdischaremasssectrometr y g g g p y 2016-04-25发布 2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — GBT32651 2016 前 言 本标准按照 / — 给出的规则起草。 GBT1.1 2009 。 。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 ( / ) 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 SACTC203归口 : ( )、 本标准主要起草单位 国家太阳能光伏产品质量监督检验中心 无锡市产品质量监督检验中心 江 、 、 苏中能硅业科技发展有限公司 国家硅材料深加工产品质量监督检验中心 江西赛维 LDK太阳能高科 、 。 技有限公司 中国电子技术标准化研究院 : 、 、 、 、 、 、 、 、 、 、 本标准主要起草人 何莉 吴建国 王琴 周滢 刘晓霞 鲁文锋 陈进 封丽娟 李建德 黄雪雯 、 、 。 孙绍武 冯亚彬 裴会川 Ⅰ / — GBT32651 2016 采用高质量分辨率辉光放电 质谱法测量太阳能