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失效案例分析 气相色谱质谱分析结果 良品漆包线 未变黑失效样品漆包线 变黑失效样品漆包线 脱气量（μg/g） 2.179 22.715 15.322 脱付的有机成份 有机溶剂（苯酚、呋喃等） 有机溶剂（苯酚、呋喃等） 邻苯二甲酸酐以及少量有机溶剂 失效案例分析 小结 失效样品漆包线性能不合格。 失效样品150℃ ~213 ℃存在氧化放热反应，放热反应峰值温度为170 ℃。 失效样品发生氧化放热反应是因为漆膜中的增塑剂氧化放热。 良品300 ℃内无放热反应。 失效案例分析 结论 99年批次继电器漆包线漆膜退化引起线圈匝间和层间漏电、短路失效。 励磁功率产生温升 漆膜增塑剂退化 漆膜开裂、脱落 线包匝间或层间漏电、短路 线包励磁功率增大 线包温度上升的恶性循环 02年批次继电器，漆包线的漆膜改为2级漆膜，漆膜性能稳定。 Thank you! 失效分析基本程序 非破坏性分析的基本路径 外观检查 模式确认（测试和试验，对比分析） 检漏 可动微粒检测 X光照相 声学扫描 模拟试验 失效分析基本程序 半破坏性分析的基本路径 可动微粒收集 内部气氛检测 开封检查 不加电的内部检查（光学，SEM，微区分析） 加电的内部检查（微探针，热像，光发射，电压衬度像，束感生电流像，电子束探针） 多余物，污染物成分分析。 失效分析基本程序 破坏性分析的基本路径 加电的内部检查（去除钝化层，微探针，聚焦离子束，电子束探针） 剖切面分析（光学，SEM，TEM） 进一步的多余物，污染物成分分析。 失效分析技术与设备 失效分析技术与设备 技术 探测源 探测物理量 用途 电参数测试分析 电信号 确定失效模式和失效管脚定位 扫描声学显微分析（SAM） 超声波 超声波 测量超声波传播，分析材料弹性特征，晶体缺陷和多层结构分析，结构截面的非破坏性分析 X-射线透视仪 X射线 X射线强度 检测电子元器件及多层PCB板的内部结构 X射线光电子能谱（XPS） 特征X射线 光电子 通过测量光电子能量确定壳层能级，利用化学位移测量化学键和化合物，元素确定，化学位移 显微红外吸收光谱（FTIR） 红外线 红外吸收光谱 识别分子官能团，有机物结构分析 二次离子质谱（SIMS） 离子 二次离子 元素确定，表面元素分布 失效分析技术与设备 技术 探测源 探测物理量 用途 光学显微镜 可见光 反射光 表面形貌，尺寸测量，缺陷观察 扫描电子显微分析（SEM） 电子 二次电子，背散射电子 表面形貌，晶体缺陷，电位分布， 电压衬度像，电压频闪图， X射线能谱分析（EDS） 电子 特征X射线 元素分析及元素分布 俄歇电子能谱（AES） 电子 俄歇电子 表面元素确定和元素深度分布 聚焦离子束（FIB） 离子 二次离子 截面加工和观察 透射电子显微技术（TEM） 电子 电子 截面形貌观察，晶格结构分析 失效分析技术与设备 制样技术 机械加工工具 研磨、抛光 化学腐蚀 有机溶解 反应离子刻蚀 聚焦离子束（FIB） FIB 失效分析技术与设备 形貌观察技术 目检 光学显微镜（立体显微镜、金相显微镜） SEM—扫描电子显微镜 TEM—投射电子显微镜 AFM—原子力显微镜 X-RAY透视 SAM—扫描声学显微镜 失效分析技术与设备 结构 主架 载物台 照明系统 目镜系统 物镜系统 拍照系统 光学显微镜 失效分析技术与设备 SEM-EDS 失效分析技术与设备 Topography of Carbon Particle Sample (BFI) TEM 失效分析技术与设备 AFM 失效分析技术与设备 结构 X射线源 屏蔽箱 样品台 X射线接收成像系统 X-Ray透视系统 失效分析技术与设备 结构 换能器及支架 脉冲收发器 示波器 样品台（水槽） 计算机控制系统 显示器 SAM 失效分析技术与设备 成分分析技术 EDS—X射线能量色散谱 AES—俄歇电子能谱 SIMS—二次离子质谱 XPS—X光电子能谱 FTIR—红外光谱 GCMS—气质联用 IC—离子色谱 内腔体气氛检测分析 失效分析技术与设备 AES 失效分析技术与设备 TOF-SIMS 失效分析技术与设备 XPS 用途：主要用于固体样品表面的组成、化学状态分析。能进行定性、半定量及价态分析。 XPS 失效分析技术与设备 Condensed smear from compressed air FTIR 失效分析技术与设备 内部无损分析技术 X-Ray透视观察 SAM—扫描声学显微镜 PIND—内部粒子噪声分析 气密性分析 失效分析技术与设备 故障定位技术 电参数检测分析定位（探针检测） 形貌观察定位 液晶敏感定位 红外热成像定位 光辐射显微定位 失效分析技术与设备 目的：确认失效模式和失效管脚定位，识别部分失效机理。 方法：与