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8.2 双向晶闸管双向晶闸管是正反两个方向都可以控制的晶闸管。不管两个主电极（T1、T2）间的电压如何，正向和反向控制极信号都可以使双向晶闸管导通。双向晶闸管的结构和符号如图1.17（a）、(b)所示。它是一个三端五层半导体结构器件，从管芯结构上看，可将其看作是将具有公共控制极（G）的一对反向并联的单向晶闸管做在同一块硅单晶片上， T1和G在芯片的正面，T2在芯片的背面，且控制极区的面积远小于其余面积。由结构图可见，G极和T1极很近，距T2极很远，因此，G-T1之间的正、反向电阻均小，而G-T2、T2-T1之间的正反向电阻均为无穷大。 G G T1 T1 T2 T2 图1.17 双向晶闸管的结构和符号 N N N N P P (b) (a) 通常情况下，双向晶闸管的触发方式有四种：Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ-。Ⅰ+ 触发方式: T2为正，T1为负，G相对T1为正；Ⅰ-触发方式: T2为正，T1为负，G相对T1为负；Ⅲ+触发方式: T2为负，T1为正，G相对T1为正；Ⅲ-触发方式: T2为负，T1为正，G相对T1为负。四种触发方式所需要的触发电流是不一样的，Ⅰ+和Ⅲ-所需要的触发电流较小，而Ⅰ-和Ⅲ+所需要的触发电流较大，在平时使用时，一般采用Ⅰ+和Ⅲ-触发方式。 用万用表电阻档测试双向晶闸管时，可先根据阻值关系判断出T2极。方法是用一只表笔接假设的T2极，另一只表笔分别接其它两个电极，若所测得的阻值均为无穷大，假设的电极即为T2极。 判断出T2后，可进一步判断T1和G极。将黑表笔接T2，红表笔接假设的T1，电阻应为无穷大。用黑表笔把T2和假设 的G短路，给G加正触发信号，管子应导通，阻值应变小，将黑表笔与G极（假设的）脱离后，阻值若维持较小值不变，说明假设正确；若黑表笔与G极脱离后，阻值也随之变为无穷大，说明假设错误，原先假设的T1为G，G为T1。也可将红表笔接T2，黑表笔接假设的T1，电阻也应为无穷大。用红表笔把T2和假设的G短路，给G加负触发信号，管子也应导通，阻值应变小，将红表笔与G极（假设的）脱离后，阻值若维持较小值不变，说明假设正确；若红表笔与G极脱离后，阻值也随之变为无穷大，说明假设错误。 用这种方法也可测出双向晶闸管的好坏。用上述方法只能测出小功率双向晶闸管的电极及好坏，对于大功率管，由于其正向导通压降和触发电流都相应增大，万用表的电阻档所提供的电压和电流已不足以使其导通，所以不能采用万用表测试。测试大功率双向晶闸管的方法可用图1-16（c）所示电路，其测试方法与单向晶闸管的测试方法基本一致，此处不再赘述。 9 集成电路 集成电路是利用半导体工艺、厚膜工艺、薄膜工艺，将无源器件（电阻、电容、电感等）和有源器件（如二极管、三极管、场效应管等）按照设计要求连接起来，制作在同一片硅片上，成为具有特殊功能的电路。与分离元器件相比，集成电路具有体积小、重量轻、功能多、成本低、适合于大批量生产等特点，同时缩短和减少了连线和焊接点，从而提高了产品的可靠性和一致性。图1.18给出了几种常见集成电路的封装形式。 9.1 集成电路的分类一、按照制造工艺 分为半导体集成电路、厚膜集成电路、薄膜集成电路、混合集成电路二、按照功能分类 可分为数字集成电路、模拟集成电路和微波集成电路 图１.18常见集成电路外封装图 （1）数字集成电路 以“开”和“关”两种状态或以高、低电平来对应“1”和“0”二进制数字量，并进行数字的运算、存储、传输及转换的集成电路。数字集成电路又可以分为双极型数字集成电路和MOS场效应管型数字集成电路。常用的双极型数字集成电路有54××、74××、74LS××系列；常用的CMOS场效应管数字集成电路有4000、74HC××系列。 （2）模拟集成电路 以电压和电流为模拟量进行放大、转换、调制的集成电路称为模拟集成电路。模拟集成电路的精度高、种类多、通用性小。模拟集成电路可分为线性集成电路和非线性集成电路两种。（a）线性集成电路 指输入、输出信号呈线性关系的集成电路。最常见的是各类运算放大器。 b）非线性集成电路 指输出信号随输入信号的变化不成线性关系，但也不是开关性质的集成电路。非线性集成电路大多是专用集成电路，常用的非线性集成电路有：用于通信设备的混频器、振荡器、检波器、鉴频器、鉴相器，用于工业检测控制的模－数隔离放大器、交－直流变换器、稳压电路，以及各种家用电器中的专用集成电路。 （ｃ）微波集成电路　工作在100MHz以上的微波频段的集成电路，称为微波集成电路。微波集成电路具有体积小、重量轻、性能好、可靠性高和成本低等特点。 三、按集成规模分集成度少于10个门电路的称为小规模集成电路。集成度在10～100个门电路之间的称为中规模集成电路。集成