电气设备绝缘预防性试验.ppt

由实部和虚部个子相等 1-ω2RxCxR4C4=0 CNRXR4=R3(RXCX+R4C4) 并联等值回路 tgδ=1/(ωCXRX)=ωR4 C4 得：RX=1/(ωCXtgδ) R4C4=tgδ/ω 代入上式： CX=CNR4/[R3(1+tg2δ)]=CNR4/R3 杂散电容：高压引线与低压臂之间有电场的影响，可以看作其间有杂散电容Cs。由于低压臂的电位很低，Cx和C0的电容量很小，如C0一般只有50?100pF，杂散电容Cs的引入，会产生测量误差。若附近另有高压源，其间的杂散电容Cs1会引入干扰电流iS，也会造成测量误差 所以需要屏蔽，消除杂散电容的影响 西林电桥的基本回路 三 测量的影响因素 外界电磁场的干扰 有磁场干扰和电场干扰两种 磁场干扰指外界磁场对电桥的感应所造成的干扰 电场干扰指外界带电部分通过与电桥臂的电容耦合 减少电场干扰的措施： 加设屏蔽、采用移相电源、采用倒相法 温度的影响 试验电压的影响 电气设备电容量的影响 设备表面泄漏的影响 局部放电的测量 局部放电的测量 绝缘中的局部放电是引起电介质老化的重要原因之一。 测定电气设备在不同电压下的局部放电强度和发展趋势，就能判断绝缘内是否存在局部缺陷以及介质老化的速度和目前的状态。 局部放电的基本概念，表征局部放电的重要参数。 脉冲电流法的测量原理。 局部放电的概念： 局部放电，指由于电气设备内部绝缘里面存在的弱点，在一定外施电压下发生的局部的重复击穿和熄灭现象 局部放电的脉冲电流测量法 局部放电的三电容模型 以三个电容来表征介质内部存在缺陷时的局部放电的机理 Cg：气泡的电容 Cb：和Cg相串联部分的介质电容 Cm：其余大部分绝缘的电容 介质内部气隙放电的三电容模型 (a)具有气泡的介质剖面 (b)等值电路 电极间加上交流电压u，则Cg上的电压为ug， 介质内部气隙放电的三电容模型 (a)具有气泡的介质剖面 (b)等值电路 局部放电机理 ug随外加电压u升高，当u上升到Us瞬时值，ug到达Cg的放电电压Ug时，Cg气隙放电。于是Cg上的电压一下子从Ug 下降到Ur，然后放电熄灭。Ur叫做残余电压，它可以接近为零值，也可以为小于Ug（均绝对值）的其它值 局部放电时气隙中的电压和电流的变化 局部放电时气隙中的电压和电流的变化 放电火花一熄灭，Cg上的电压将再次上升，由于此时Cg及Cb已经有了一个初始的直流电压，所以此后的ug值不能直接用上式来表达，ug 值与上式表达的值在绝对值上要小一个（Ug－Ur）值。外加电压仍在上升，Cg上的电压也顺势而上升，当它再次升到Ug时，Cg再次放电，电压再次降到Ur，放电再次熄灭 Cg上的电压从Ug突变为Ur（均绝对值）的一瞬间，就是局部放电脉冲的形成的时刻，此时通过Cg有一脉冲电流，局部放电时气泡中的电压和电流的变化如图所示 局部放电时气隙中的电压和电流的变化 介质内部气隙放电的三电容模型 (a)具有气泡的介质剖面 (b)等值电路 当Cg放电时，放电总电容Cg?： Cg上的电压变化为(Ug?Ur)，故一次脉冲放出的电荷?qr： 当Cm Cb，Cg Cb，Ur = 0时， ?qr ≈Ug（Cg+ Cb）  在实际试验时，式中所表达的各个量，都是无法实测得到的。所以要寻求其它能反映局部放电的量来测量。 外施电压是作用在Cm上的，当Cg上的电压变动(Ug-Ur)时，会造成外施电压的变化量?U应为 介质内部气隙放电的三电容模型 (a)具有气泡的介质剖面 (b)等值电路 由此两式得总电容上的电压变化量?U： 相应的电荷变化量?q： 把?U 式代入上式?q ，可得 介质内部气隙放电的三电容模型 (a)具有气泡的介质剖面 (b)等值电路 真实放电量： ?qr，是无法测量的 视在放电量： ?q，其表达式中的量都是可以测得的。它是局部放电试验中的重要参量，国际和国家标准中，对于各类高压设备的视在放电量△q的允许值均有所规定 介质内部气隙放电的三电容模型 (a)具有气泡的介质剖面 (b)等值电路 放电能量 表征局部放电的基本参数，除了视在放电量?q外，还有一次脉冲放电能量W 当外施电压由零上升到Us时，Cg上的电压为Ug，即 可得 如Ur≈0，则 放电重复率 放电重复率N：是表征局部放电的另一个基本参数。因为在加压半周期内能发生好几个脉冲。所以定义一秒钟内产生的脉冲数叫