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例2 设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况，并求AO两端的电压UAO。 + VD - 　D 15V　　R=3KΩ 12V A + O - 解 分析方法：先将要分析的二极管断开，求VD VD=(-15V)-(-12V)=-3V0 所以二极管截止 VAO=-12V D1 D2 3V 2K 5V A + O - 解 分析方法：如果电路中有两个二极管，则先将不分析的二极管所在的支路断开，再按前面所学的方法分析。 但VD1 VD2 管压降大的管子优先导通, 二极管D1先导通从而导致二极管D2截止 VAO=0V VD1=5V0 所以二极管D1导通 VD2=5V-3V=2V0 所以二极管D2导通 例３ 设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况。 解 分析方法：先将要分析的二极管断开，求VD Ｂ _ + +15V Ｄ Ａ 10V 18K O 25K 140K 10K 2K 5K 因为VBVA所以D截止. 图 二极管半波整流电路 (a)电路；(b)输出波形 三、晶体二极管应用电路举例 1. 整流电路 2. 门电路 图 二极管门电路 3. 二极管限幅电路 图 二极管限幅电路 (a)电路; (b)波形 §3.5特殊二极管 一、稳压二极管 二极管可分为：普通二极、稳压管、变容管、 光电管、发光管、隧道管、微波管、恒流管等。 稳压管又称为齐纳二极管，它的杂质浓度较大，空间电荷区很窄，容易形成强电场。产生反向击穿时反向电流急增。稳压管的稳压作用在于，电流增量很大，只引起很小的电压变化。 图中的VZ表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。稳压管的稳压作用在于，电流增量ΔIZ很大，只引起很小的电压变化ΔVZ。曲线愈陡，动态电阻rz=ΔVZ/ΔIZ愈小，稳压管的稳压性能愈好。一般地说，VZ为8V左右的稳压管的动态电阻较小，低于这个电压的，rZ随齐纳电压的下降迅速增加，因而低压稳压管的稳压性能较差。稳压管的稳定电压VZ，低的为3V，高的可达300V，它的正向压降约为0.6V。 二、变容二极管 二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的二极管称为变容二极管。 图a为变容二极管的代表符号，图b是变容二极管的特性曲线。不同型号的管子，其电容最大值可能是5~300pF。最大电容与最小电容之比约为5:1。变容二极管在高频技术中应用较多。 图 变容二极管 （a）图形符号;（b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） 三、光电二极管 光电二极管是光电子系统的电子器件。它可用来作为光的测量，可将光信号转换为电信号。 光电二极管的结构与PN结二极管类似，管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反向偏置状态下运行，它的反向电流随光照强度的增加而上升。图a是光电二极管的代表符号，图b是它的等效电路，而图c则是它的特性曲线。其主要特点是，它的反向电流与照度成正比，灵敏度的典型值为0.1mA/lx数量级。 四、发光二极管 发光二极管通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的砷化镓、磷化镓等化合物制成的。当这种管子通以电流时将发出光来。其光谱范围是比较窄的。发光二极管的代表符号如图所示。发光二极管常用来作为显示器件外，也常作为七段式或矩阵式器件，工作电流一般为几个毫安至十几毫安之间。 （a）图形符号; （b）光电传输系统 第三章 半导体二极管及其基本电路 半导体的基本知识 PN结的形成及特性 半导体二极管（diode） 二极管基本电路及其分析方法 特殊二极管 §3.1　半导体的基本知识 导体 容易传导电流的称为导体。如金属。 绝缘体 几乎不传导电流的称为绝缘体。如橡胶，陶瓷。 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间，并且受到外界光和热的刺激或加入微量的杂质时，导电能力将发生显著变化的物质称为半导体。如硅(Si )，锗(Ge )。 一、本征半导体 本征半导体 完全纯净的，结构完整的半导体晶体称为本征半导体。 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 束缚电子 图 半导体的原子结构示意图 （a）硅原子；（b）锗原子；（c）简化模型 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 挣脱共价键的束缚自由活动的电子 空穴 自由电子 束缚电子成为自由电子后，在共价键中所留的空位。 二、杂质半导体 杂质半导体 电子半导体