深圳振华富磁珠的原理及应用技术交流.doc

磁珠的原理及应用 深圳振华富电子有限公司 陆松杰 王立忠 一、磁珠的基本原理 1.1 引言 由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰(EMI)抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、电路与PCB板设计、电缆设计、屏蔽设计等问题。本文通过介绍磁珠的基本原理和特性来说明它在电子设备的电磁兼容设计中的重要性与应用，以期为设计者在设计新产品时提供必要的参考。 1.2 磁珠的特点 磁珠的主要原料为铁氧体。这种材料的特点是高频损耗非常大，具有很高的导磁率，它可以使电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小。铁氧体磁珠通常应用于高频情况，因为在低频时它们损耗很小主要呈现电感特性。在高频情况下，它们主要呈现电抗特性并且随频率改变。磁珠实质上虽然是一个感性元件，但在功能、作用上与电感有所不同。电感的基本功能是电路谐振和扼流电抗。主要用于高频振荡、高频扼流和高频滤波等。磁珠的主要功能是消除存在于线路中的高频噪声，扮演着高频电阻（衰减器）的角色，它允许直流信号和较低频信号通过，能滤除20MHz以上的高频信号。主要应用于模拟电路和数字电路之间的滤波隔离，I/O(输入/输出)端口电路，射频(RF)电路和易受干扰的逻辑设备之间，电源电路以及需要抑制EMI等场合。 1.3磁珠的参数 磁珠主要有三个参数，阻抗值（Z）、额定电流（Ir）、直流电阻（DCR）。 磁珠阻抗值的单位是欧姆，因为磁珠的阻抗是按照它在某一频率点产生的阻抗值来标称的。阻抗Z是磁珠中最重要的参数，阻抗Z可表示为： Z =√ R(f)2 +〔X(f)〕2 （1） 式中：电阻R(f)和感抗X(f) 均为频率的函数。 阻抗Z的大小与频率紧密相关，通常产品手册上所给出磁珠的阻抗是表示在100MHz频率点的测量值，一般阻抗值(Z)的误差范围是±25%。在选用磁珠时除了要考虑阻抗值以外，还要兼顾磁珠的额定电流和直流电阻。 1.4 磁珠的频谱曲线图。 从图一中我们看到，兰色区域为低频区域，一般信号工作区域。在红色区域为高频区域，Z曲线在蓝色区域显示的阻抗值较小，而在红色区域显示的阻抗值较大。正是利用磁珠的这一阻抗频率特性来抑制高频噪声信号。磁珠一般是串接在电路中使用的，在低频段磁珠的R(f)很小，磁珠阻抗主要由电感的感抗构成，在低频时磁芯的磁导率较高，而存在很小的电感量，并且这时磁芯的损耗较小，整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感。就磁珠而言，存在于磁珠中的这种电感在实际使用时电感量值很小，一般可忽略不计。 在高频段，阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁芯的磁导率降低，导致电感量减小而使感抗成分减小 ，但是这时磁芯的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收以转换成热能的形式耗散掉。因而铁氧体抑制元件广泛应用于各种电子电路、电源线和数据线上。 图一 阻抗曲线图 例如在印制板的电源线入口端加上铁氧体抑制元件，就可以滤除高频干扰。铁氧体磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰，也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。 1.5 磁珠的工作原理 磁珠一般是串接在电路中工作的，从图二我们可以看出磁珠Z串接在电路中与负载ZL形成一个分压比的关系(若不考虑信号源内阻的影响)，分压公式： 从式中看出VL输出信号由ZL(负载阻抗)和 Z(磁珠阻抗)对VS信号分压而得到。因磁珠Z的阻抗是频率的函数，在高频段比低频段的阻抗值(对直流信号相当于通路)要大，对高频信号来说比低频信号衰减要大得多。在选用时要考虑有用信号工作频率是多少，使磁珠对有用信号衰减要尽量小而对无用的高频信号衰减要大。 1.6 磁珠对脉冲信号高次谐波的抑制 磁珠串接在电路中工作虽然对高频噪声信号具有抑制衰减的作用，但是不同阻抗值的磁珠对脉冲的高次谐波抑制效果是不一样的，见图三。在图中的第一栏我们看到脉冲的上冲很大(未加磁珠)，从频谱图中看出谐波分量很丰富。在中栏加了47Ω磁珠，看到上冲有所减小，高频频谱分量较第一栏中的要小，高频分量受到一定的抑制。下面栏我们加了220Ω磁珠，脉冲波形的上冲减小得最多，从频谱图中看到高频分量较47Ω的抑制量要大得多，但是脉冲的上升沿有所牺牲。对脉冲信号上升沿要求高的场合，在使用磁珠抑制脉冲信号的高次谐波时要兼顾减少脉冲上升沿的牺牲。 图三 磁珠对数字脉冲信号的高次谐波的抑制效果图 综上所述： · 磁珠是一个耗能元件，阻抗随频率变化，在射频噪