STS10DN3LH5;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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STS10DN3LH5;中文规格书,Datasheet资料

STS10DN3LH5 Dual N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STS10DN3LH5 30 V 0.021 Ω 10 A ■ R * Q industry benchmark DS(on) g ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ Very low switching gate charge ■ High avalanche ruggedness SO-8 ■ Low gate drive power losses Application ■ Switching applications Description

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