2016、2015高考真题物质结构题.doc

物质结构与性质真题专练 1. （2016课标3卷）砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回 答下列问题： （1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。 （2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”） （3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。 （4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。 （5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其学科网晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。 解析： 37.[化学——选修3：物质结构与性质]（15分） （1）[Ar]3d104s24p3（1分） （2）大于 小于（每空2分，共4分） （3）三角锥形 sp3（每空1分，共2分） （4）GaF3为离子晶体，GaCl3为分子晶体（2分） （5）学科.网原子晶体共价（每空2分，6分） 2. （1）；2。（2）原子半径较大，难以形成稳定的键（3）、、的熔沸点依次上升（4）。（5），共价键。（6）①；②。 （1）锗位于硅的正下方，是号元素，核外电子排布为。（2）双键、叁键与单键中均有键，但只有双键和叁键中存在键。锗难以形成双键或叁键，说明锗难以形成稳定的键。这是因为原子半径较大，4p形成肩并肩重叠较难。（3）由表中数据可知，三种物质熔沸点均不高，均为分子晶体，并且不存在氢键，因此熔沸点由范德华作用力的强弱决定。即熔沸点依次升高，是范德华力依次增强的结果，而对于组成和结构相似的物质而言，范德华力主要受分子量决定。分子量越大，范德华力越大，熔沸点越高。（4）由三种元素在周期表的相对位置可知电负性相对强弱。（5）锗与金刚石结构相似，金刚石中碳原子是杂化，锗晶体中锗也是相同的杂化，原子间以共价键结合。（6）①将晶胞切成8个相同的小正方体后，D是左下角小正方体的体心，因此原子坐标是；②每个晶胞中含有8个锗原子，根据密度公式进行计算，注意换算单位： 2. （2016课标1卷）锗（）是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题： （1）基态原子的核外电子排布式为__________，有__________个未成对电子。 （2）与是同族元素，原子之间可以形成双键、叁键，但原子之间难以形成双键或叁键，从原子结构角度分析，原因是 。 （3）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因 。 熔点/℃ 26 146 沸点/℃ 186 约400 制备反应中，带状纳米是该反应的良好催化剂，、、电负性由大至小的顺序是____________________。 （5）单晶具有金刚石型结构，其中原子的杂化方式为__________，微粒之间存在的作用力是__________。 （6）晶胞有两个基本要素： ①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置，下图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为；B为；C为。则D原子的坐标参数为 。 ②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状。已知单晶的晶胞参数，其密度为__________（列出计算式即可）。 解析： 37.（ 1）1s22s22p63s23p63d84s2或[Ar] 3d84s2 2 （2）①正四面体 ②配位键 N ③高于 NH3分子间可形成氢键 极性 sp3 （3）金属 铜失去的是全充满的3d10电子，镍失去的是4s1电子 （4）①3：1 ② 东晋《华阳国志南中志》卷四中已有关于白铜的记载，云南镍白铜（铜镍合金）闻名中外，曾主要用于造币，亦可用于制作仿银饰品。回答下列问题： （1）镍元素基态原子的电子排布式为_________，3d能级上的未成对的电子数为______。 （2）硫酸镍溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4蓝色溶液。 ①[Ni(NH3)6]SO4中阴离子的立体构型是_____。 ②在[Ni(NH3)6]2+中Ni2+与NH3之间形成的化学键称为______- ，提供孤电子对的成键原子是_____。 ③氨的沸点（“高于”或“低于”）膦（PH3），原因是______；氨是_____分子（填“极性