适于薄膜SOI RESURF器件击穿电压模拟的高阶紧致差分格式离散的ADI方法.pdfVIP

第 27 卷 　第 2 期 半 　导 　体 　学 　报 V ol . 27 　N o . 2 2006 年 2 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Feb . ,2006 适于薄膜 SOI RESURF 器件击穿电压模拟 的高阶紧致差分格式离散的 AD I 方法 1 ,2 , 2 1 ,2 2 于宗光 　刘 　战 　王国章 　须自明 ( 1 中国电子科技集团公司第 58 研究所 , 无锡 　2 14035) (2 江南大学信息工程学院, 无锡 　2 14035) 摘要 : 采用 A D I 与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜 SO I R ESU R F 结构击穿电压. 数值计算表明,这种方法可 以降低方程的迭代次数约 40 % , 并明显减少方程的求解时间. 关键词 : A D I ; 高阶紧致差分; SO I ; R ESU R F ; 击穿电压 EEACC : 2560 R 中图分类号 : TN 386 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 上 , 建立 SO I R ESU R F 结构的解析模型. 这类方法 1 　引言 具有精度较高 、物理意义明确等优点,但由于此类解 析模型是在一定假设条件基础上建立的, 其精度较 SO I (silic ono ni nsulat or ) 由于其独特的性能越 第一 、二类方法差 ,且计算比较复杂 ,通用性较差. ( ) 来越得到广泛的重视与研究. 用 SO I 材料制作的器 交替方向隐式 alt e r n at i n g di r ect i on i mp licit 件能实现全介质隔离 , 其寄生电容和泄漏电流小 , 驱 方法[ 5 ] 是种稳定性很好的算法 , 它能把多维问题化 动电流大 , 很适合用来制造功率集成电路及器件[ 1 ] . 为一系列的一维问题处理 , 而且一维问题所要求解 击穿电压是功率 M OS 器件的一个重要参数 , 的三对角方程组很容易使用熟知的追赶法在计算机 [ 6 ] 提高输出功率要求提高击穿电压. 击穿电压还决定 上实现 , 因此计算速度较快. 而紧致差分格式 使用 了 M OS 器件的运用范畴, 例如功率开关管就对高 较少的网格点便能实现高精度的计算格式 , 它与传 耐压有特殊要求 , 因此必须要采取措施来提高器件