15基本放大电路3.ppt

15.7.2 典型差动放大电路 15.7.3 差分放大电路对差模信号的放大 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 5.电路中增加复合管 增加复合管的目的是：扩大电流的驱动能力。 复合管的构成方式： E C B T1 T2 ib ic 方式一： C B E ib ic 复合NPN型 B E C ib ic ?? ? ?1 ?2 晶体管的类型由复合管中的第一支管子决定。 方式二： T1 E C B T2 ib ic 复合管构成方式很多。不论哪种等效方式，等效 后晶体管的性能确定均如下： 复合PNP型 6. 功率计算 Q3 ICQ VCC iC uCE 设电路工作在乙类极限状态，则输出电压的最大值为： (1) 最大不失真输出功率PoM (2)电源供给的功率PE 6.功率计算 Q3 ICQ VCC iC uCE （3）效率? 理想状态,实际效率要低些。 二、无输出电容的乙类互补对称功放电路 1.工作原理（设ui为正弦波） 电路的结构特点： （1） 由NPN型、PNP型三极管构成两个对称的射极输出器对接而成。 （2）双电源供电。 （3）输入输出端不加隔直电容。 RL T1 T2 +UCC + ui - + uo - R2 R1 R2 D1 D2 -UCC A 3.动态分析： ui ? 0V T1截止，T2导通 ui 0V T1导通，T2截止 iL= ic1 ; iL=ic2 因此，不需要隔直电容。 2.静态分析： ui = 0V ? T1、T2 微导通IC1= IC2 ? uo = 0V RL T1 T2 +UCC + ui - + uo - R2 R1 R2 D1 D2 -UCC A ic2 ic1 15.8.3 集成功率放大电路 功率放大电路的应用 作 业 15.7.3 15.7.4 15.8.1 15.9 场效应管及其放大电路 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管 绝缘栅场效应管 结型场效应管 BJT是一种电流控制器件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(vGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 (1) N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 15.9.1 绝缘栅场效应管 G S D 符号： 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 (2) N沟道增强型管的工作原理 (3) 特性曲线 有导电沟道 转移特性曲线 无导电 沟道 开启电压UGS(th） UD