5.4混频器电路设计实例.ppt

5.4 混频器电路设计实例 5.4.1 基于T0785的800～1000MHz上变频器电路 T0785是一个高线性度的有源混频器，芯片内部包含一个IF中频放大器、一个LO本振放大器、混频器和混频器输出缓冲器，采用TSSOP-16封装，可应用在AMPS/GSM/TDMA/ CDMA发射机、高性能无线数字通信系统中。T0785混频器适用的射频频率fRF范围为800～1000MHz，本振频率fLO范围600～700MHz，中频频率fIF范围30～400MHz，可以提供14dB的变频增益，输出IP3为22dBm，输出P1dB为?30dBm。它使用一个5V的电源电压，电流消耗200mA。射频RF输入与本振LO输入可以采用差分或单端驱动形式，具有低的LO-RF和LO-IF泄漏，典型值为?35dBm。T0785的中频放大器、射频放大器和本机振荡器端口都在内部匹配到50?，不需要外部匹配网络，使用方便，减少了外部元件。T0785具有完全的ESD保护。 T0785的应用电路原理图和印制板图如图5.4.1所示，应用电路元器件参数见表5.4.1。 5.4.2 基于LT5511的400～3000MHz上变频器电路 LT5511混频器芯片内部包含一个差分本振缓冲放大器、双平衡混频器和偏置/使能电路，它的LO、RF和IF端口能够与宽频率范围内的各种放大器匹配。高性能的本振缓冲器允许使用一个单端的本机振荡器源，不需要使用不平衡变压器。 LT5511射频输出频率范围为400～3000MHz，本振输入频率范围为400～2700MHz，中频输入频率范围为10～300MHz。LT5511在IF输入信号电平为?5dBm，在射频输出频率为950MHz时，IIP3为+17dBm。在射频输出频率为1900MHz时，IIP3为+15.5dBm。输入1dB压缩点为+6dBm。本振输入功率?15～?5dBm，本振缓冲器驱动电平为?10dBm。电源电压范围为4.0～5.25V，电流消耗65mA。采用TSSOP-16封装形式。 LT5511的950MHz应用电路原理图和印制板图如图5.4.2所示，元器件参数见表5.4.2。 5.4.3 基于MC13143的DC～2.4GHz线性混频器电路 MC13143是一个双平衡混频器，具有超小功率、输入和输出频带宽、混频器线性度高等技术特点，广泛用于0～2.4GHz的上变频和下变频电路中。MC13143电源电压工作范围为1.8～6.5V，其功耗为1.8mW。MC13143射频输入端为单端方式，本地振荡器输入端和中频输出端为差分方式。混频器电压转换增益为9.0dB。MC13143采用了新的电路设计技术，确保在50?线性输入阻抗时，能获得高的三阶互调截点（+20dBm）、高直线性度和高1.0dB输出压缩点。 MC13143采用CASE751 SO-8封装形式，可应用于无线区域网络（WLAN）、数字式无线通信系统（DECT）、数字式无线电话系统（PHS）、个人随身通信服务（PCS）、卫星定位系统（GPS）、蜂窝系统、移动通信无线系统、902～928MHz的无绳电话机等。 MC13143的应用电路原理图和印制板图如图5.4.3所示。采用16:1变压器和LC匹配网络的窄带中频输出电路如图5.4.4和图5.4.5所示。 5.4.4 基于LT5512的DC～3GHz下变频器电路 LT5512是一个宽带的、高线性度的混频器集成电路，芯片内部包含一个射频缓冲放大器、一个差分的LO（本机振荡器）缓冲器放大器、双平衡混频器和偏置/使能电路。集成的RF缓冲放大器改善了LO-RF隔离度，不需要精确的外部偏置电阻。 LT5512采用的是一个高线性度的无源二极管混频器电路结构，混频器变换增益1dB。RF输入频率范围DC～3000MHz，LO输入频率范围DC～3000MHz，IF输出频率范围DC～2000MHz。 LT5512具有高IIP3：在950MHz时为+20dBm，在1900MHz时为+17dBm。SSB噪声系数在1900MHz时为14dB。集成的LO缓冲器不易受LO驱动电平的影响，可以使用单端或差分LO信号，LO输入功率为?15～?5dBm，具有高的LO-RF隔离度，具有使能控制功能。 LT5512电源电压范围为4.5～5.25V，电流消耗74mA，低功耗模式电流消耗100?A。LT5512采用4mm×4mm QFN封装形式。 LT5512 1900MHz下变频器（PCS/UMTS应用）应用电路原理图、元器件布局图和印制板图如图5.4.6所示，元器件参数见表5.4.3。 5.4.5 基于LT5500的1.8～2.7GHz LNA/混频器电路 LT5500是一个包含有低噪声放大器（LNA）、一个混频器和一个LO缓冲器的接收器前端IC，采用SS