无机材料科学基础复习知识点总结剖析.docx

无机材料科学与基础1.名词解释二八面体：在层状硅酸盐矿物中，若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为二八面体结构。三八面体：在层状硅酸盐矿物中，若全部的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体结构。稳态扩散：扩散质点浓度不随时间变化。不稳态扩散：扩散质点浓度随时间变化，扩散通量与位置有关。互扩散：有浓度差的空间扩散。自扩散：没有浓度差的扩散。顺扩散：由高浓度区向低浓度区的扩散叫顺扩散，又称下坡扩散。逆扩散：由低浓度区向高浓度区的扩散叫逆扩散，又称上坡扩散。本征扩散：不含有不含有任何杂质的物质中由于热起伏引起的扩散。非本征扩散：非热能引起，如由杂质引起的扩散。刃型位错：滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。螺型位错：位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错热缺陷：在没有外来原子时，当晶体的热力学温度高于0K时，由于晶格内原子热振动，使一部分能量较大的原子离开正常的平衡位置，造成缺陷，这种由于原子热振动而产生的缺陷称为热缺陷。杂质缺陷：由于杂质进入晶体而产生的缺陷。点缺陷：在三维方向上尺寸都很小（远小于晶体或晶粒的线度）的缺陷。线缺陷：是指晶体内部结构中沿着某条线（行列）方向上的周围局部范围内所产生的晶格缺陷。它的表现形式主要是位错。弗兰克尔缺陷：在晶格内原子振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置后，进入晶格点的间隙位置，变成间隙原子，而在原来的位置上形成一个空位，这样的缺陷称为弗兰克尔缺陷。肖特基缺陷：如果正常格点上的原子，热起伏过程中获得能量离开平衡位置，跳跃到晶体的表面，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。类质同晶：物质结晶时，其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其他离子或原子所占有，共同组成均匀的、呈单一相的晶体，不引起键性和晶体结构变化的现象。同质多晶：同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。一致熔融化合物：是一种稳定的化合物，它与正常的纯物质一样具有固定的熔点，熔化时所产生的液相与化合物组成一致，故称一致熔融化合物。不一致熔融化合物：是一种不稳定的化合物，加热这种化合物到某一温度便发生分解，分解产物是一种液相和一种晶相，二者组成与化合物皆不相同，故称不一致熔融化合物。均匀成核：是指晶核从均匀的单相熔体中产生的几率是处处相同的。非均匀成核：是指借助于表面、界面、微粒裂纹、器壁以及各种催化位置等而形成晶核的过程。烧成：烧成是在一定的温度范围内烧制成致密体的过程。烧结：压制成型后的粉状物料在低于熔点的高温作用下、通过坯体间颗粒相互粘结和物质传递，气孔排除，体积收缩，强度提高、逐渐变成具有一定的几何形状和坚固整体的过程。萤石型：CaF2型结构中，Ca2+按面心立方紧密排列，F-占据晶胞中全部四面体空隙。属于萤石型结构的晶体有：BaF2、PbF2、SnF2、CeO2、ThO2、UO2等。反萤石型：阳离子和阴离子的位置与CaF2型结构完全相反，即碱金属离子占据F-的位置，O2-占据Ca2+的位置。如Li2O,Na2O,K2O等。架状结构:硅氧四面体之间通过四个顶角的氧桥连起来，向三维空间无限发展的骨架状结构称为架状结构。层状结构：SiO4之间通过三个氧桥相连，在二维平面无限延伸构成的硅氧四面体层称层状结构。岛状结构：在硅酸盐晶体结构中，SiO4以孤立状态存在，SiO4之间通过其他阳离子连接起来，这种结构称为岛状结构。桥氧：在有限四面体群中连接两个Si4+离子的氧称为桥氧。由于这种氧的电价已经饱和，一般不再与其它正离子配位，故桥氧亦称为非活性氧。非桥氧：在有限四面体群中只有一侧与Si4+离子相连的氧称为非桥氧。另一侧可与其它正离子配位，故非桥氧亦称为活性氧。正尖晶石：在AB2O4尖晶石型晶体结构中，若A2+分布在四面体空隙、而B3+分布于八面体空隙，称为正尖晶石。反尖晶石：若A2+分布在八面体空隙、而B3+一半分布于四面体空隙另一半分布于八面体空隙，通式为B(AB)O4，称为反尖晶石。位移性转变：这种转变不打开任何键，也不改变原子最临近的配位数，仅仅使结构发生畸变，原子位置发生少许位移。是高低温转变，所需能量低，属于可逆转变，转变速度快。重建性转变：是破坏原有原子间化学键，改变原子最邻近配位数，使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。需要破坏化学键，所需能量高，有些是不可逆转变，转变速度慢。一级相变：体系有一相变为另一相时，两相的化学势相等但化学势的一级导数不相等的称为一级相变。二级相变：体系有一相变为另一相时，两相的化学势相等，一级导数也相等，但二级导数不相等的称为二级相变。点群:晶体结构中所有点对称要素（对称面、对称中心、对称抽和旋转反抻轴）的集合称为对称型，也称点群。空间群:一个晶体构造中所有对称要素集合。置换型固溶体：溶质原子进入晶格中正常结点位置而取代基质中的原子。间隙型固溶体