低频电子电路3章(20120314).ppt

（4）代入数值，计算得 依据与晶体管类似，可判断该该场效应管处于非饱和区工作，于是根据非饱和区 近似为零的情况，可得 第三章 半导体受控器件的分析 和 （1）温度变化前 3.3.2 工作点的稳定性 （2）温度升高30℃ 后 实际问题提出 ， ， 。 结论：管子靠近饱和区。 第三章 半导体受控器件的分析 保持集电极电流稳定，就可以保证CE之间电压稳定，即达到稳定放大区工作点的目的。 实际典型改进电路 ， ， 。 第三章 半导体受控器件的分析 保持集电极电流稳定，就可以保证CE之间电压稳定，即达到稳定放大区工作点的目的。 实际典型改进电路 ， ， 。 第三章 半导体受控器件的分析 实际典型工作点稳定电路原理 ， ， 。 结论：发射极电阻是稳定集 电极电流的关键。 第三章 半导体受控器件的分析 注： 关键: 即: 工作点稳定电路条件 ， ， 。 为了提高效果，希望基极电位稳定，也就是 ，即 即满足 第三章 半导体受控器件的分析 工程条件： （1） 时，等式（1）成立。 要点：电路数学目标、电路构成、分析手段、 分析结论与改进。 具体实例（1）电路数学要求 3.4 运用目标、非线性元器件的区域特性和分析方法的选取 （2）小信号分析计算 第三章 半导体受控器件的分析 第三章 半导体受控器件的分析 交流通过电容，引起基极电流变化，经β完成交流比例变换，最后再经电容将变换后的交流引出。 通过直流通路，将晶体管工作点推向放大区； 电路构造 第三章 半导体受控器件的分析 工作点处于放大区，计算合理可信。 （1）直流通路，工作点计算 电路分析 ∵ ∴ 第三章 半导体受控器件的分析 （2）交流信号分析 在外接电容阻抗较小时，通过选用晶体管低中频晶体管小信号模型，得放大电路的小信号等效电路如下： 根据小信号等效图，小信号计算如下： 第三章 半导体受控器件的分析 结论：电路可以完成信号比例变换任务 其中： 《低频电子电路》 何丰 ----------人民邮电出版社 21世纪高等院校信息与通信工程规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 第三章 半导体受控器件的分析 因半导体PN结的复杂性，导致非线性导电具有区域特性，区域特性是分析的关键点。 ---------具体包含： 区域条件 区域模型与表达方式 《低频电子电路》 总论： 3.4 应用目标、非线性元器件的区域特性和分析方法的选取 3.2 非线性受控器件的求解分析与应用 3.1 非线性半导体元器件的分析概述 第三章 半导体受控器件的分析 回顾第一章分析 具体方法 大范围锁定工作点 3.3 直流工作点分析 《低频电子电路》 1. 明确非线性元器件工作区域 2. 明确非线性元器件是否需要工作点平台 第三章 半导体受控器件的分析 3.1 非线性半导体元器件的分析概述 3.1 非线性半导体元器件的分析概述 回顾第一章例题 1.3.2 或门电路 （二极管上电压在大范围的内确定) 第三章 半导体受控器件的分析 回顾第一章例题 1.4.3 全波整流电路 （二极管上电压在大范围内变化) 第三章 半导体受控器件的分析 回顾第一章例题 1.3.2 电位平移电路 （二极管上电压在导通区内的较小范围变化) 工作点 第三章 半导体受控器件的分析 . 要点：输出应属高低电位情况，即是在非线性大范围内求点。 具体步骤：分别以两种输入电平出发来分析。 3.2 非线性受控电流器件的求解分析 3.2.1 晶体管非门基础电路 第三章 半导体受控器件的分析 已知：输入只有5V和0V两种情况。 要点：发射结反偏，集电结反偏。---管子截止，输出高电位5V。 要点：管子导通（放大、饱和或击穿）---电阻参数合理情况下，管子可以处于饱和，输出低电位(约等于0V)。 3.2.1 晶体管非门基础电路 第三章 半导体受控器件的分析 要点：管子导通（放大、饱和）。 第三章 半导体受控器件的分析 在电阻 或 较大情况下，管子均可以处于饱和状态，输出低电位约等于0V。 管子处于放大区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。 3.2.2 晶体管微变等效电路分析法及条件 第三章 半导体受控器件的分析 说明如下： 第三章 半导体受控器件的分析 放大情况-小信号基础电路模型