MOSFET驱动芯片.pdf

北京落木源电子技术有限公司 IGBT 驱动器产品手册 BEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTD TX- KB303 超高频 MOSFET 驱动芯片 TX-KB303 产品手册 HTTP://WWW.PWRDRIVER.COM V3.0 2014-04 - 1 - 北京落木源电子技术有限公司 IGBT 驱动器产品手册 BEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTD TX- KB303 目录 一、概述3 二、原理框图3 三、电气参数3 3.1 极限参数3 3.2 驱动特性4 3.3 工作条件4 3.4 对输入电源的要求4 四、尺寸结构5 4.1 外形尺寸5 4.2 引脚说明5 五、应用电路说明5 5.1 驱动器低压侧输入信号的连接5 5.2 驱动器高压侧的输出连接6 5.2.1 驱动输出功率的计算6 5.2.2 驱动辅助电源的连接6 5.2.3 与IGBT 的连接6 5.3 驱动芯片测试方法6 6.5 典型应用图6 六、相关产品信息7 6.1 KD107 单管MOSFET 驱动片7 6.2 KE107 双管MOSFET 驱动片7 七、常见问题7 八、其它说明7 HTTP://WWW.PWRDRIVER.COM V3.0 2014-04 - 2 - 北京落木源电子技术有限公司 IGBT 驱动器产品手册 BEIJING LMY ELECTRONICS CO.,LTD TX- KB303 TX-KB303 超高频MOSFET 驱动器 一、概述 • 单管MOSFET 隔离驱动器，工作频率可达2MHz • 关断时负压驱动，可靠性高 • 用户只需提供一个15V 的驱动电源 • 外围电路简单 • 可用于超高频电源，小功率非接触供电等 • 绝缘电压3.5KV 二、原理框图 三、电气参数 3.1 极限参数 符号 名称 极限参数 单位 Vp 辅助电源电压 16 V Vs 信号输入电压 8 V Po 输出功率 2 W Io 驱动器输出瞬态峰值电流 ±4 A Viso 输入输出绝缘电压（50Hz/1min） 3.5 KV Rg 最小栅极电阻 3.9 Ω Fop 最大开关频率