PSHI2312PSHI2317-驱动电路,IGBT驱动电路,IGBT.pdf

PSHI 2312，PSHI 2317 , 极限参数（T a = 2 5 ℃） 符号 含义 数值 单位 VS 边电压 18 V V V +0 .3 V iH 输入信号高电平 S IoutPEAK 输出峰值电流 8 A IoutAV 输出平均电流 50 mA V IGBT CE 1200 / 1700 V CE ， 极电压 dv/dt 电压变化率 75 kV/μs V 1 , 4000 V isol IO 输入输出隔离电压( 分钟交流) RGon min 最小门极开通电阻 2 .7 Ω RGoff min 最小门极关断电阻 2 .7 Ω Qout/pulse 充电电荷 4 .8 μC 普实鸿飞 T -25~85 op 工作温度 ℃ Tstg 储存温度 -25~85 ℃ PCB IGBT Driver PSHI 2312 二, 电气参数（T a = 2 5 ℃） PSHI 2317 数值 双路智能大功率IGBT 驱动器 符号 含义 单位 最小 典型 最大 VS 边电源电压 14.4 15 15.6 V IS 边电源电流最大值 0 .321) A 产品特点 ISO2) 边电源电流最小值 0 .12 A ■PSHI2312 可以驱动全系列1200V IGBT 输入高电平门槛 (根据1200V IGBT的特性设置VCE监测保护) VIT+ 输入电平为15V 12.5 V ■PSHI2317 可以驱动全系列1700V,IGBT 输入电平为5V 2 .4 输入低电平门槛 (根据1700V IGBT的特性设置VCE监测保护) VIT- 输入电平为15V 3 .6 V ■工作模式可选择半桥模式或两个单 模式 输入电平为5V 0 .5 ■输入可兼容CMOS/TTL(HCMOS) 电平 Rin 输入阻抗 10 kΩ ■通过检测VCE 提供短路保护 VG(on) 门极开通电压 15 V ■发生短 时,具有软关断功能 VG(off) 门极关断电压 -8 V ■通过变压器(而非光耦)进行电气隔离 f 最大开关频率 见图1